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专利名称：高Bs低损耗MnZn铁氧体及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：吕东华,颜冲,包大新,雷国莉,王宝燕申请号：CN200810059432.4申请日：20080121公开号：CN101266860A公开日：20080917
摘要：本发明涉及一种MnZn铁氧体及其制作方法，尤其是指一种用于制造磁芯的高Bs、低损耗MnZn铁氧体及其制作方法。本发明主要是针对现有技术所存在的饱和磁通密度低，损耗大等问题，通过改良成分，提供一种在高温下饱和磁通密度高、损耗低、成本低、能适应现有大生产的高Bs低损耗MnZn铁氧体及其制作方法。本发明的MnZn铁氧体其组份包括：53.5～56mol％的FeO、1.5～4mol％的ZnO，41～42.5mol％的MnO，其余为副成分；所述的副成分为：0.001～0.008wt％的SiO和0.1～0.4wt％的CaCO。
申请人：横店集团东磁股份有限公司
地址：322118 浙江省东阳市横店工业区横店集团东磁股份有限公司
国籍：CN
代理机构：杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人：尉伟敏
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