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专利名称：一种近红外硅锗酸盐长余辉发光材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：王育华,张强,冯鹏,王亚杰申请号：CN202110277041.5申请日：20210315公开号：CN112745840A公开日：20210504
摘要：本发明公开了一种近红外硅锗酸盐长余辉发光材料及其制备方法，该发光材料的化学式为BaSiGeO：Cr。按该化学式中各原料的化学计量比，分别称取各原料，Ba通过碳酸盐、氧化物或盐引入，Si、Ge、Cr均过各自的氧化物引入；将各原料混合后，加入LiCO，充分混合研磨，得原料粉末；该原料粉末中LiCO的质量分数为3%。在氮气气氛和一定温度下保温，随炉冷却至室温，研磨，制得近红外硅锗酸盐长余辉发光材料。该制备方法具有余辉时间长、强度高、光谱覆盖范围广等优点的近红外长余辉发光材料，制备方法简便，无废水废气排放，适合大规模工业化生产。
申请人：兰州大学
地址：730000 甘肃省兰州市城关区天水南路222号
国籍：CN
代理机构：兰州智和专利代理事务所(普通合伙)
代理人：周立新
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