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TFT阵列基板的制作方法[发明专利]

来源:99网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:TFT阵列基板的制作方法专利类型:发明专利发明人:郑明丰

申请号:CN2018115854.8申请日:20181224公开号:CN109686698A公开日:20190426

摘要:本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法。该TFT阵列基板的制作方法通过PFA工艺在色阻层上形成平坦层,该平坦层上会产生一些缺陷,然后对缺陷进行研磨修补,去除缺陷,研磨修补会在缺陷处使平坦层及色阻层磨破以暴露出钝化层,在暴露出的钝化层上形成一层保护膜,然后在所述平坦层上形成一层电极薄膜,对电极薄膜图案化处理形成像素电极层时,可以防止图案化处理时破坏钝化层,避免像素电极层与TFT层短路,提高研磨修补成功率。

申请人:深圳市华星光电技术有限公司

地址:518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

国籍:CN

代理机构:深圳市德力知识产权代理事务所

代理人:林才桂

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