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专利名称：一种真空封装的超薄MEMS芯片专利类型：实用新型专利发明人：付世
申请号：CN201320405107.5申请日：20130708公开号：CN203373143U公开日：20140101
摘要：本实用新型公开了一种真空封装的超薄MEMS芯片，衬底层、结构层、封盖层。所述结构层通过结构锚点与所述衬底层电连接，所述封盖层通过玻璃浆与所述衬底层真空封装一体。本实用新型降低了高真空封装时产生的应力对器件性能影响。通过在结构层做双面加工来制作电连接和传感器结构，由于都是在一层硅材料做物理加工，不会产生过多的应力影响。
申请人：深迪半导体(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号2号楼302
国籍：CN
代理机构：北京英特普罗知识产权代理有限公司
代理人：齐永红
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