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专利名称：MEMS圆片级真空封装结构及方法专利类型：发明专利
发明人：李东玲,尚正国,王胜强,温志渝申请号：CN201510278031.8申请日：20150527公开号：CN104986720A公开日：20151021
摘要：本发明公开了一种MEMS圆片级真空封装结构及方法，所述封装结构包括绝缘衬底、MEMS芯片结构层和盖板，三者通过圆片级键合方式连接成一体，形成真空腔室。本发明在第一键合环中心设计有不完全闭合的第二键合环，同时利用阳极键合与金硅共晶键合、热压键合或粘着键合的键合温度相近的特点，在同一工艺条件下完成两种键合，实现真空封装和金属引线的横向互连。另外，设计的第二键合环略高于第一键合环可保证键合时两键合环都能充分接触，且第二键合环不完全闭合形状设计一方面可以实现金属引线的横向互连，另一方面将真空腔室与外界环境隔开，保证真空腔室的密封性。本发明降低了工艺难度，提高了器件的可靠性和成品率，促进了MEMS圆片级真空封装技术的规模化应用。
申请人：重庆大学
地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
国籍：CN
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司
代理人：赵荣之
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