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专利名称：一种砷化镓多晶无液封合成方法和装置专利类型：发明专利
发明人：周春锋,刘晏凤,杨连生申请号：CN200910000937.8申请日：20090123公开号：CN101498047A公开日：20090805
摘要：本发明公开了一种砷化镓多晶无液封合成方法和装置，该方法在无液封砷化镓多晶合成基础上，又经过了垂直布里奇曼法定向结晶，合成的圆柱形GaAs多晶不存在镓团和砷团，且分布及不均匀，可以直接满足垂直布里奇曼法或者垂直梯度冷凝法GaAs单晶生长的需求。该装置包括合成炉体和石墨系统，石墨系统包括保温单元、加热单元、合成单元和使合成单元升降转动的运动单元。采用本发明的方法合成的GaAs多晶化学计量比达到了水平布里奇曼法的水平，避免了Si杂质的沾污，本发明所述合成方法与氧化硼液封合成法相比避免了硼杂质沾污。
申请人：中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津晶明电子材料有限责任公司
地址：300220 天津市河西区洞庭路26号
国籍：CN
代理机构：信息产业部电子专利中心
代理人：梁军
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