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专利名称：半导体封装结构及封装体专利类型：实用新型专利发明人：刘杰,应战
申请号：CN201921741057.1申请日：20191016公开号：CN210272259U公开日：20200407
摘要：本实用新型提供一种半导体封装结构及封装体，所述半导体封装结构包括：衬底晶圆，所述衬底晶圆具有相对设置的第一表面及第二表面，在所述第一表面具有多个凹槽，在所述凹槽底部具有多个导电柱，所述导电柱贯穿所述凹槽底部至所述第二表面；多个半导体裸片堆叠体，放置在所述凹槽内，且所述半导体裸片堆叠体的上表面低于或者平齐于所述凹槽的上边缘，所述半导体裸片堆叠体的底部与所述导电柱电连接；盖板晶圆，覆盖在所述衬底晶圆的第一表面，以密封所述凹槽，所述衬底晶圆、所述半导体裸片堆叠体及所述盖板晶圆之间的间隙未被填充物填充。本实用新型优点在于，形成的半导体结构具有封装高度低、可靠性高及翘曲度低的特点。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
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