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专利名称：一种用于单行载流子光电二极管的吸收区结构专利类型：发明专利发明人：张戎,曹俊诚,邵棣祥申请号：CN201510755818.9申请日：20151109公开号：CN105390556A公开日：20160309
摘要：本发明提供一种用于单行载流子光电二极管的吸收区结构，所述吸收区结构采用InGaAsP材料生长，其中，x、y分别为Ga元素和As元素的材料组分，0
申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：200050 上海宁区长宁区长宁路865号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：罗泳文
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