专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：半导体器件专利类型：实用新型专利发明人：高玮
申请号：CN201821515238.8申请日：20180917公开号：CN208781808U公开日：20190423
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，包括基底、在基底上设置的硬掩膜层及在硬掩膜层上设置的第一牺牲层，在第一牺牲层形成有微图案。本实用新型提高了半导体器件的套刻精度，避免了接触电阻和寄生电容问题的产生，大大提高了产品成品率，同时本实用新型产品结构简单，成本低。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：孙佳胤
更多信息请下载全文后查看
