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专利名称：用于制造高纯硅的等离子体沉积装置和方法专利类型：发明专利
发明人：M.阿斯拉米,武韬,C.德卢卡,P.汉森,E.丹尼洛夫申请号：CN2011800161.0申请日：20110131公开号：CN102933493A公开日：20130213
摘要：本发明提供用于制造高纯硅的等离子体沉积装置，其包括用于沉积所述高纯硅的腔室，所述腔室包括基本限定模腔的上端的顶部；具有上端和下端的一个或多个侧面，所述顶部基本密封连接所述一个或多个侧面的上端；基本限定所述腔室的下端的基底，所述基底基本密封连接所述一个或多个侧面的下端；和布置在所述顶部的至少一个感应耦合的等离子体焰炬，在基本垂直的位置取向的所述至少一个电感耦合的等离子体焰炬产生自所述顶部向下朝向所述基底的等离子体火焰，所述等离子体火焰限定使一种或多种反应物反应以产生高纯硅的反应区。另外，还提供了收集熔融硅的方法。
申请人：美国太阳能技术有限公司
地址：美国纽约州
国籍：US
代理机构：中国专利代理()有限公司
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