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专利名称：一种氮化镓系发光二极管专利类型：实用新型专利发明人：马平,丁成,刘慰华,李刚申请号：CN201020198233.4申请日：20100518公开号：CN201766093U公开日：20110316
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓系发光二极管。其结构主要包括衬底材料、缓冲层、n型接触层、活性发光层、p型插入层、p型电子阻挡层、p型接触层和正电极与负电极层。本实用新型与现有的氮化镓系发光二极管的最主要差异是，在InGaN/GaN多量子阱活性发光层与p型AlGaN电子阻挡层之间生长一层低温p型氮化镓层，从而从界面上将InGaN/GaN多量子阱活性发光层与p型AlGaN电子阻挡层以物理方式分隔开。结果表明，通过设置该低温p型氮化镓层，氮化镓系发光二极管的发光强度和反向击穿电压得到较大的提高。
申请人：上海蓝宝光电材料有限公司
地址：201616 上海市松江区文俊路2号
国籍：CN
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