第４０卷第１２期：３７１７．３７２４２０１４年１２月３１日ＤｏＩ：ｌＯ．１３３３６／ｊ．１００３—６５２０．ｈＶｅ．２０１４．１２．０１０高电压技术Ｈｉｇｈ、ｒｏｌｔａｇｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＶｂｌ．４０．Ｎｏ．１２：３７１７－３７２４Ｄｅｃｅｍｂｅｒ３１．２０１４１２～２４ｋＶ氮气绝缘环网柜的研制钱立骁，陈慎言（上海天灵开关厂有限公司，上海２０１８０８）摘要：在气体绝缘环网柜中使用环保的氮气或干燥空气取代ＳＦ６气体，又要保持紧凑和小巧的特点，必须要对环网柜绝缘结构进行优化设计。为此，就氮气的绝缘特性和氮气绝缘中压环网开关柜的典型绝缘结构（如间隙绝缘、复合绝缘、支撑绝缘子和穿墙套管沿面绝缘）的最大电场强度进行了分析研究。进而探索了降低氮气绝缘环网柜内电场强度的有效方法和途径：通过改善导体形状可降低气隙间电场不均匀系数至２～３：采用复合绝缘可降低氮气介质最大电场强度约２０％；采用双断口结构和复合屏蔽绝缘，可实现工频耐受７５ｋＶ门ｍｉｎ、雷电冲击耐受土１４５ｋＶ的隔离断口绝缘水平；优化电极形状和绝缘体外形设计，可降低沿面绝缘破坏起始处电场强度，实现在工频耐受６５ｋｖ／ｌｍｉｎ、雷电冲击耐受士１２５ｋＶ的绝缘水平：通过电场屏蔽件的设计可降低局部电场集中，提高柜体整体绝缘水平。研制成功了符合ＩＥＣ６２２７卜ｌ和ＧＢ１１０２２标准绝缘水平要求的１２￣２４ｋＶ氮气绝缘环９四柜（柜宽４００ｍｍ）并通过了型式试验，证明了环网柜采用氮气绝缘的可行性。关键词：环网柜；氮气绝缘：复合绝缘；相对介电常数：电场优化和屏蔽；最大电场强度：绝缘水平ＲｅｓｅａｒｃｈａｎｄＤｅｓｉｇｎｏｆ１２—２４ｋＶＮｉｔｒｏｇｅｎＩ硒ｕｌａｔｅｄ砌ｎｇＭａｉｎＵｎｉｔＱＩＡＮＬｉｘｉａｏ，ＣＨＥＮＳｈｅｎｙａｎ（ＳｈａｎｇｈａｉＴｉａｎｌｉｎｇＳｗｉｔｃｈｇｅａｒＣｏ．，Ｌｔｄ．，Ｓｈａｎｇｈａｉ２０ｌ８０８，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔ豫ｃｔ：Ｉｎｇａｓｉｎｓｕｌａｔｅｄ鼬ｎｇＭａｉｎＵｎｉｔｓ（ＩｍＩＵ），ｒｅｐｌａｃｉｎｇｗｅｌｌＳＦ６ｗｉｔｈｅｎＶｉｍｎｍｅｎｔａｌｌｙ衔ｅｎｄｌｙｇａｓｌｉｋｅＮｉ仃ｏｇｅｎａｎｄｄ１了ａｉｒｗｈｉｌｅｗｉｔｈｏｕｔｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｔｈｅｅｑｕｉｐｍｅｎｔｖｏｌｕｍｅｒｅｑｕｉｒｅｓｏｐｔｉｍｉｚｉｎｇｔｌｌｅｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｓｔｎｌｃｍｒｅｏｆＲＭＵ．Ｈｅｎｃｅ，ｗｅｃａｌｃｕｌａｔｅｄｔｈｅｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＮｉ仃ｏｇｅｎｔｅｍｓｉｎＮｉｔｍｇｅｎｉｎｓｕｌａｔｅｄｍｅｄｉｕｍ—ｖｏｌｔａｇｅｗｅａｓａｓａｓｔｈｅｍａｘｉｍｕｍｆｉｅｌｄｉｎｔｅｎｓｉｔｙｉｎｓｏｍｅｔｙｐｉｃａｌｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｓｙｓ—ｇａｐＩ洲Ｕ，ｓｕｃｈｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ，ｈｙｂｒｉｄｉｎｔｅｎｓｎｙｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ，ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇｉＩｌｓｕｌａｔｏｒｓ，ｗａｌｌｂｕｓｈｉＩｌｇｓ．ｎｌｅｎｅｘｐｌｏｒｅｄｗａｙｓｏｆｒｅｄｕｃｉＩｌｇｔｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄｉｎｓｉｄｅＮｉ仃ｏｇｅｎｉｎｓｕｌａｔｅｄＲＭＵ．Ｒｅａｓｏｎａｂｌｙｃｈａｎｇｉｎｇｔｈｅｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓｈａｐｅｃｏｕｌｄｒｅｄｕｃｅｔｈｅｎｏｎ—ｕｎｉｆＩｏ咖ｆ．ａｃｔｏｒｏｆｅｌｅｃｔｒｉｃａｃｒｏｓｓｆｉｅｌｄｉｎｇａｓｇａｐｔｏ２～３．Ａｄｏｐｔｉｎｇｈｙｂｒｉｄｉｎ－ｓｕｌａｔｉｏｎｃｏｕＩｄｒｅｄｕｃｅｔｈｅｍａｘｉｍｕｍｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄｉｎｔｅｎｓｉ哆ｏｆｇａｓｉｎｓｕＩａｔｉｏｎｂｙａｂｏｕｔ２０％．Ｗｉｔｈｄｏｕｂｌｅｉｓｏｌａｔｉｏｎｆ－ｒａｃｔｕｒｅｓ仃ｕｃｔｕｒｅａｎｄｈｙｂｒｉｄｓｈｉｅｌｄｉｎｇｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ，ｔｌｌｅｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｌｅｖｅｌｉｓｏｌａｔｉｎｇｄｉｓ协ｎｃｅｒｅａｃｈｅｄ７５ｋＶ／ｌｍｉｎ（ｐｏｗｅｒ丘Ｉｅ—ｔｏｑｕｅｎｃｙ）ａｎｄ士１４５ｋＶ（１ｉｇｈｎｌｉＩｌｇｉｍｐｕｌｓｅ）．ＯｐｔｉｍｉｚｅｄｅｌｅｃｎＤｄｅｓｈａｐｅａｎｄｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｃｏｎｆｉｇｕｍｔｉｏｎｈｅｌｐｅｄｆｉｅｌｄｉｎｔｅｎｓｉｔｙｉｎｔｈｅａｒｅａｄｅｃｒｅａｓｅｍｅｗｈｅｒｅｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｓｕｒｆｋｅｓｔａｎｅｄｔｏｂｒｅａｋｄｏｗｎ，锄ｄｒｅａｌｉｚｅｄｔｈｅｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｌｅＶｅＩｏｆ６５ｋＶ／ｌｍｉｎ（ｐｏｗｅｒ雠ｑｕｅｎｃｙ）ａ１１ｄ士１２５ｋＶ（１ｉ曲ｍｉｌｌｇｉＨｌｐｕｌｓｅ）．ＷｉｍｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄｓｐｅｃｉａＩｌｙｄｅｓｉｇＩｌｅｄｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄｓｌｌｉｅｌｄｉｎｇ，ｔＩｌｅｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｏｆｉｎｓｉｄｅ鼢仉Ｊｗａｓｒｅｌｉｅｖｅｄ’ｗｈｉｃｈｒａｉｓｅｄｔｈｅｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｌｅｖｅｌｏｆＩ己ＭＵ．Ｆｏｌｌｏｗｉｎｇｔｈｅａｂｏｖｅｍｅｔｌｌｏｄｓ，ｗｅｄｅ－ｖｅｌｏｐｅｄ１２～２４ｋＶＮｉｔｍｇｅｎｉｎｓｕｌａｔｅｄＲＭＵ（４００ｍｍｉｎｗｉｄｔｈ）ｉｎｃｏｍｐｌｉａｎｃｅｗｉｔｈｔｈｅｒｅｑｕｉｒｅｄｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｌｅＶｅｌｓｏｆＩＥＣｕｓｅ６２２７ｌ一１ａｎｄＧＢ１１０２２．１１１ｉｓＲＭＵｐａｓｓｅｄｍｅｔｙｐｅｔｅｓｔｓ，ｗｈｉｃｈｐｍｖｅｓｔｈｅｆｅａｓｉｂｉｌｉｔｙｔｏＮｉｔｒｏｇｅｎａｓｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｇａｓｉｎＲＭＵｓ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｒｉｎｇｍａ访ｕｎｉｔ；ｎｉ仃ｏｇｅｎｉｌｌｓｕｌａｔｉｏｎ；ｈｙｂｒｉｄｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ；ｒｅＩａｔｉｖｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｓｔａＩｌｔ；ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｆｉｅｌｄｏｐｔｉｍｉｚｅａｎｄｓｈｉｅｌｄｉＩｌｇ；ｍａｘｉｍ姗ｅｌｅｃｔｒｉｃ０ｆｉｅｌｄｓ仃ｅｎ垂ｈ；ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｌｅｖｅｌ引言中压气体绝缘环网开关柜（以下简称环网柜），种优良的电工气体，但也是一种被《京都议定书》列为排放的温室气体，近年来一些国家甚至对ＳＦ６的使用征收碳税。因此，对于开关设备，特别是对于中压等级的开关设备，去ＳＦ６化具有重要的环境保护意义，并成为发展方向。操作方便，控制和保护相对简单，成本较低，在二次配电系统中得到广泛应用，受到供电部门和终端用户的欢迎。但目前的环网柜大都采用六氟化硫（ＳＦ６）气体作为绝缘和开断介质。而ＳＦ６气体虽是一环网柜的去ｓＦ６有２个技术方向：①是环保气体绝缘环网柜，采用干燥空气或氮气（Ｎ２）等气体取万方数据高电压技术代ＳＦ６作为绝缘介质，以真空取代ｓＦ６作为开断介质；②是固体绝缘环网柜，以固体材料作为主要绝缘介质，用真空开断。本文主要论述采用氮气或干燥空气取代ＳＦ６作为绝缘介质、以真空作为开断介质的环网柜的研发。根据环网柜的运行要求和使用环境，氮气绝缘环网开关柜还应具有如下特点：１）带电器件全部封闭在气箱内部，主开关的绝缘拉杆和隔离开关断口处的绝缘性能都不受海拔、大气水分、灰尘、污秽的影响。２）绝缘件安装在气箱内不外露，对于恶劣环境，如沿海、高寒、湿热地带，具有更好的耐候性。３）采用低压力气体，额定绝对压力为０．１２～０．１３差可取０．８５～１．２５。因此设计氮气绝缘环网柜时，击穿电场强度可按空气击穿电场强度的经验式进行初步计算，并取下偏差０．８５作为绝缘裕度系数。可以估算空气绝缘条件下的开关柜中常见的圆柱间和圆柱对板击穿电场强度晚，即经验式（１）ｐ１民＿３０删＋雩）、／ｒＤ（１）式中：Ｅｂ为击穿电场强度，单位ｋＶ／ｍ；，＾为电极半径，单位ｍ；蹒相对于标准大气条件（温度为２０℃，气压为１０１．３２５ｌ【Ｐａ）的相对气体密度。１．２降低气隙间最大电场强度以满足氮气绝缘水平在环网柜中，气隙间的绝缘可以分为２种形式，即三相导体的相间和对地绝缘、开关的隔离断口间绝缘，２者的零件外形尺寸、电场集中度都不相同。ＭＰａ，并希望在零表压下保证所有电气性能，给予用户最大的持续运行可靠性。４）保持环网柜紧凑、小巧灵活和便于安装使用的特点。本文通过氮气绝缘环网柜的研发，对环网柜的几种典型绝缘结构（如间隙绝缘、复合绝缘、支撑绝缘子、穿墙套管沿面绝缘）的最大电场强度进行了分析研究和优化，提出了降低电场强度的方法和途径，研制了１２～２４ｋＶ氮气绝缘环网柜并通过了型式试验验证。为满足氮气绝缘耐受，采取以下几种措施。１．２．１采用圆形母线以降低气隙间电场不均匀系数气体间隙的绝缘水平取决于间隙的最大电场强度。通过电极间电场不均匀系数厂即最大电场强度与平均电场强度的比值，可以近似计算介质中的最大电场强度Ｅ－ｍ。。，即关系式（２）¨叫ｋ。＝厂等（２）式中：厂为电极间电场不均匀系数；己，为电极间电压；ｄ为电极间净距。从式（２）可知，降低电极间电场不均匀系数和增大电极问净距是降低气隙问最大电场强度的有效途径。为此本文在氮气绝缘环网柜设计中采用了一定直径的圆形母线来降低电场不均匀系数，同时圆形母线与矩形母排相比可以获得更大空间净距，从而降低最大电场强度。在典型的额定电流为６３０Ａ的ＳＦ６气体绝缘环网柜中，主母线通常采用截面尺寸为４０ｍｍ×８ｍｍ、１氮气绝缘结构的设计和优化ＳＦ６是强电负性气体，分子具有很强的吸附电子的能力，耐电强度很高。相对于ＳＦ６气体，氮气击穿电场强度低，采用氮气作为气体绝缘介质，环网柜气室内的气隙和绝缘件沿面的耐电强度远低于ＳＦ６。氮气绝缘环网柜在不增加柜体尺寸和气体压力的条件下，如果要获得与ＳＦ６绝缘环网柜相同的绝缘水平，就必须优化绝缘结构设计，降低气隙和固体绝缘沿面的最大电场强度。１．１氮气、干燥空气与ＳＦ６绝缘性能的比较研究在稍不均匀电场中，ＳＦ６的耐电强度为干燥空气和氮气的２．５～３倍¨。Ｊ。ｓＦ６或ＳＦ６与氮气的混合气体的击穿电场强度Ｂ己被很好模拟【ｊ。４Ｊ，并在低压力和高压力气体绝缘设计中广泛应用。氮气的耐电强度基本与空气一样【５嗡Ｊ。采用棒一棒、棒一板电极在额定大气压下进行工频击穿试验，氮气相对于空气的偏差如下：试验电极棒直径的偏差为１０～６０ｍｍ，电极间净距的偏差为１０～１００ｍｍ，圆角半径为４ｍｍ的矩形铜母线，按相间中心距１２０ｍｍ计，电场不均匀系数约为４。本文氮气绝缘环网柜的母线采用直径为２５ｍｍ（即电极半径ｒ为０．０１２５ｍ）的Ｔ２铜母线。初步设计时假设相间最小净距为９０ｍｍ（即电极问净距ｄ为０．０９ｍ），查阅相关资料，电场不均匀系数厂为２．１，按２４ｋＶ冲击耐受电压１２５ｋＶ（即电极间电压Ｕ为１２５ｋＶ）的要求，根据式（２）可近似计算最大电场强度为ｋ。，：厂旦：２．１×婴∑：２…‘ｄ０．０９ｍ９１７ｋＶ／ｍ而相对气体密度．肭１，根据式（１）可估算此条件下空气击穿电场强度为试验结果表明氮气相对于空气的相对电气强度的偏万方数据钱立骁，陈慎言：１２～２４ｋＶ氮气绝缘环网柜的研制３７１９瓦：３０．３万（１＋攀）：３０．３×ｌבｆｌ＋』坠１：３８４０ｋｖ／ｍ叫ｒ６√ｏ．０１２５ｍ×１。／ａ１纯气隙绝缘考虑氮气相对于空气的相对电气强度，取下偏差０．８５作为绝缘裕度系数，则可得击穿电场强度为３２６４ｋＶ／ｍ（即０．８５×３８４０ｋＶ／ｍ），满足氮气绝缘要求。１．２．２采用固体复合绝缘以降低气体间隙中的电场强度固体绝缘材料（如环氧树脂、硅橡胶）的耐电强度可达２００００ｋＶ／ｍ，在电场强度集中的位置引入固体绝缘材料，来达到降低气体中最大电场强度的目的，这是减少氮气绝缘环网柜相间及对地距离，提高绝缘性能的重要措施。根据已有的典型形状电极在纯气隙条件下的最大电场强度的近似计算式…０１，可以推导出典型电极在固体复合绝缘条件下气隙中绝缘层表面气隙中的最大电场强度近似计算式，以图１所示圆柱对圆柱电极为例推导如下。图ｌ（ａ）为圆柱对圆柱电极纯气隙绝缘的示意图，其中，为电极半径，ｄ为电极问净距。图１（ｂ）为圆柱对圆柱电极复合绝缘的示意图，其中，．－为电极半径，圪为复合绝缘层的外径，凶为复合绝缘层之间的净距。设反。。为有复合绝缘层的情况下气隙中位于绝缘层表面的最大电场强度；丘正为与气隙最大电场强度处相邻的固体绝缘层内的电场强度：．凸为固体绝缘材料相对介电常数。近似考虑此处电场方向垂直于绝缘层表面，则可得一‘ｂＪ复合绝缘图１Ｆｉｇ．１圆柱电极间的纯气隙绝缘和复合绝缘Ｈｙｂｒｉｄ＆ｇａｓｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｏｆｃｙｌｉＩｌｄｅｒｅｌｅｃｔｒｏ（１ｅｓ＆一。０９磊盏２，’ｌｎ兰—二旦一。（５）…７眨根据以上式（３）一式（５）可以导出复合绝缘条件下气隙中最大电场强度昂。。与电极间电压Ｕ之间的近似关系式～一２‘恤垒＋堡占，ｌＩｌ螳）（６）Ｆ：型兰！２‘（１１１兰＋＝占，ｌＩｌ』Ｌ二二生兰）一‘９‘吒～”，以氮气绝缘环网柜内导体直径２５ｍｍ铜母线为例。按相间中心距１２０ｍｍ计，２４ｋＶ电压等级的冲击电压为１２５ｋＶ，在纯气隙条件下，最大电场强度为反。。＝２８６０ｋＶ／ｍ。在直径２５ｍｍ铜母线导１６ｒ一丘ｇｒ２２■亡ｑ一（３）体外面包覆１０ｍｍ厚的环氧层后，取环氧的詹为３．５，其余条件同前，计算得气隙内最大电场强度设在图１（ｂ）中圆柱形的固体绝缘层内距中心距离为ｈ处的电场强度为Ｅ毗，根据Ｇｕｅｓｓ定理可得，丘一＝２２１０ｋＶ／ｍ，比纯气隙下降约２０％，采用复合绝缘可以有效减少相间和相对地距离。１．２．３隔离断口的绝缘结构设计隔离断口的绝缘水平要求高于相间及对地。同时由于动静触头要实现电气接通和隔离，所以其形点玉＝Ｅ刍２您以。从电极半径ｎ处到固体绝缘层外径心处对‰积分即可求得固体绝缘层内的电压％与％ｚ的关系式％２ｊ｜‘％毗２吒％：ｈ手‘ｌ（４）状更容易形成电场集中。图２为典型的ＳＦ。气体绝缘负荷开关示意图。负荷开关为旋转刀闸式，同时起到隔离的功能。动触头和静触头采用铜排压制成刀片式，触头表面形状曲率半径很小；受气箱宽度，隔离断口问净距较小。在触头表面形成电场集中，必须用ＳＦ６气电极间电压为Ｕ，由气体间隙问电压乩和固体绝缘层间电压％组成，即Ｕ＝２％＋‰，而气体间隙间电压‰与岛。。的关系可参照已有的纯气隙条件下最大电场强度和电极间电压的关系式万方数据高电压技术体绝缘来保证断口绝缘水平。为满足氮气绝缘条件下的断口绝缘水平，本文研制了图３所示的旋转隔离式真空负荷开关（断路器）。采用旋转式真空开关极柱，双隔离断口的结构（该隔离式开关结构已经获得国家发明专利）。其绝缘结构有如下特点：①采用双隔离断口，降低每个断口的绝缘耐受；②静触座采用固体复合绝缘屏蔽，消除静触头零件表面的电场集中；③真空灭弧室采用环氧固封极柱结构，将易引起电场集中的灭弧室端面法兰包裹在固体绝缘材料中。据此顺利解决了隔离断口的绝缘结构设计。１．３优化绝缘结构以降低沿面电场并提高沿面绝缘水平在气体绝缘中的固体绝缘件，按电力线和固气界面的关系，可以分为２类：①电场强度在界面的法向分量大于界面的切向分量，典型如穿墙套管类；②电场强度的分布主要沿界面的切线方向，只有少量的法向分量，典型如支撑绝缘子类。１．３．１氮气绝缘中穿墙套管类的绝缘结构设计对于穿墙套管类，气固界面具有强法向电场分量，存在着沿绝缘表面的沿面电阻及导体与绝缘表面之间的体积电阻和体积电容。在电压作用下，会形成切向沿面电流和法向体积电流，２种电流叠加汇总在套管接地法兰处，此处是界面电场最集中处，也是沿面闪络的起始点。在强电场法向分量作用下，该位置区域气体热电离，导致沿面滑闪，最终发生沿面击穿。图４为穿墙套管类绝缘的结构和等效电路。由图４（ｂ）等效电路可以列出表面阻抗、体积阻抗、表面分布电流、表面分布电压之间的微分方程，导出套管表面滑闪放电起始电压‰的关系式…ＪＵ。＝Ｅ。㈡∞ｐＳｑＱ、）式中：岛为接地法兰处套管表面电场强度；缈为电压角频率；ｐ。为套管表面单位面积的表面电阻率；Ｇ为套管的比表面电容。在滑闪情况下，增加套管长度并不能有效降低法兰处的电场强度。从式（７）可知，降低套管接地法兰附近的表面电场强度局和通过增加套管固体绝缘材料的厚度来减少比表面电容Ｃ０，可以有效提高套管滑闪放电电压。在母线套管研制过程中，为提高母线套管的滑闪击穿电压，本文从以下３个方面降低对套管的靠近法兰处的沿面电场强度：１）增加套管类绝缘件接地嵌件处绝缘层的厚度，使电场尽量多地集中在固体绝缘材料中，降低万方数据，接地触头图２ＳＦ＾气体绝缘负荷７ｆ：关Ｆｉｇ．２ＳＦ６ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ１０ａｄｓｗｉｔｃｈ同封檄挂＼动触＿；图３隔离式真空负荷开关（断路器）Ｆｉｇ．３ＩｓｏＩａｔｉｏｎｔｙｐｅｖａｃｕｕｍ１０ａｄｓｗｉｔｃｈ（ｃｉｒｃｕｉｔｂｒｅａｋｅｒ）图４套管绝缘结构等值电路Ｆｉｇ．４ＥｑｕｉＶａｌｅｎｔｃｉｒｃｕｉｔｏｆｂｕｓｂａｒｂｕｓｈｉｎｇｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ钱立骁，陈慎言：１２～２４ｋＶ氮气绝缘环网柜的研制３７２ｌ法兰处的气固界面的电场强度。２）调整接地嵌件的高度，使得套管中母线连接器的接地屏蔽层对接地嵌件形成更好的屏蔽作用，减少接地嵌件端部的电场集中，从而降低接地法兰处的气固界面的电场强度。３）合理设计套管表面形状，特别是接地法兰附近的形状，根据电场强度沿介质分界面的折射规律，尽量按电力线走向设计ｐ’比Ｊ，减少在电力线介电常数较小的气体侧电位线折射而形成的局部增强的电场法向分量。图５为母线套管沿面电场强度分布图计算示例，图中电场强度标尺单位为ｋＶ／ｍ，通过上述方法成功满足套管的绝缘设计要求。１．３．２氮气绝缘中支撑绝缘子类的绝缘结构设计对ｆ支撑绝缘子类，固体绝缘材料表面电场强度矢量主要沿切线方向，法向矢量较小，不会产生较大的电容电流，不会出现热电离现象，没有明显的滑闪放电¨｝ＨＪ。这种类型的绝缘结构设计时主要应考虑降低绝缘介质表面的切向电场强度。相关研究表明，多种因素影响支撑绝缘子的沿面闪络特性【ｌ孓ⅢＪ。固体绝缘材料表面存在局部微观的凹陷气隙、绝缘材料表面存在导电杂质、绝缘材料和电极结合之间有气隙都会引起局部电场的集中，发展导致沿面闪络。除去以上制造原因，在氮气绝缘环网柜的研制中，为降低支撑绝缘子的沿面电场强度，主要应从以下２个方面考虑：①增加绝缘子直径，同时优化内部嵌件外形，将电位梯度分布尽量集中在固体绝Ｆｉｇ．６●●Ｏ●２３５７．．．．．一一ｌ．．．．．．．．．．．．．．．．．．Ｕ＇■－———－ｊ图５母线套管电场强度分布图Ｆｉｇ．５Ｅｌｅｃｔｒｉｃ６ｅｌｄＶｅｃｔｏｒｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆｂｕｓｂａｒｂｕｓｈｉｎｇ电场强度／（ｋＶ堋。ｌ５卢一驴．ｔ‘．Ｏ：∞∞∞∞∞∞ｍ”Ｏ图６支撑绝缘子电场强度分布图Ｅｌｅｃｔ—ｃｆｉｅｌｄＶｅｃｔｏｒｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆｉｎｓｕｌａｔｏｒ缘材料中，以减少绝缘子表面的电位梯度分布；②增加高压屏蔽元件，以降低绝缘子靠近高压端的沿面电场强度，提高沿面闪络起始点的击穿电压。图６为氮气绝缘柜中经过优化的支撑绝缘子电场强度矢量图，图中电场强度标尺单位为ｋＶ／ｍ，通过优化设计沿面电场强度得到有效控制。１．４采用电场屏蔽结构设计以降低局部电场集中在环网柜气室总体布置、绝缘结构、零件外形尺寸和空间距离已经确定的情况下，采用屏蔽结构能减少局部电场集中，提高柜体整体绝缘水平。本氮气绝缘环网柜采用了以下几种屏蔽方式：１）如图７所示，支撑绝缘子高压端加装金属圆角屏蔽圈。屏蔽了绝缘子高压嵌件边缘的电场集中和绝缘子上安装的高压元器件表面的电场集中，同时缓和了支撑绝缘子绝缘表面靠近高压端的沿面电场强度集中。２）如图８所示，在环氧转轴处增加接地屏蔽圈，对环氧主轴内突出的接地嵌件进行电场屏蔽，减少接地嵌件周围环氧表面的电场集中。３）如图９所示，采用固体绝缘材料屏蔽件，固体绝缘件内表面金属化，并与高压元件等电位连Ｆｉｇ．７图７高压屏蔽ＨｉｇｈＶｏｌｔａｇｅｓｈｉｅｌｄｉｎｇ万方数据３７２２高电压技术接，来消除零件尖角处的电场集中，利用固体材料承受大的电压梯度，降低气体间隙中的电场强度。２试验验证及结果分析２．１样机试制及验证通过对绝缘结构的优化设计，借助于电场模拟计算和样品试验，本文完成了适用于２４ｋｖ电压等级氮气绝缘的绝缘子、母线连接套管、真空负荷开关主轴等绝缘件的研发；研制成功了双断口隔离式真空负荷开关（断路器）；最终试制成功符合ＩＥＣ６２２７卜１和ＧＢ１１０２２标准中绝缘要求的１２～２４ｋｖ氮气绝缘环网柜，通过了工频耐受电压相问及对地６５ｋＶ／ｌｍｉｎ、隔离断口７５ｋＶ／ｌｍｉｎ和雷电冲击耐图８受电压相间及对地±１２５ｋＶ、隔离断口±１４５ｋＶ的２４Ｆ唔８ｋＶ电压等级绝缘试验验证。图１０所示是１２～２４ｋＶ氮气绝缘环网柜，产品外形尺寸（宽×深×高）为０．４ｍ×０．９ｍ×１．７ｍ，保持了环网柜紧凑和小巧的特点，同时还有如下特点：１）采用３ｍｍ厚不锈钢板密封箱体，０．１２加．１３ＭＰａ（绝对值，温度为２０℃）低压力氮气绝缘；带电体和绝缘件都密封在气箱内，不受环境影响。２）主母线及主开关采用三相前中后布置，相间距离１５０ｍｍ，充分利用环网柜气室深度。３）主母线采用直径为３５ｍｍ的圆形母线，支母线采用直径为２０～２５ｍｍ的圆形母线，母线间为纯气隙绝缘。４）隔离式负荷开关（断路器）采取双隔离断口设计，在氮气介质中满足工频耐受电压７５ｋＶ／ｌｍｉｎ图９川体绝缘材料『ｊｆ蔽件Ｆｉｇ．９Ｓｏｌｊｄｉｎｓｕｌａｔｉｎｇｓｈｉｅｌｄｐａｎｓ和雷电冲击士１４５ｋＶ的２４ｌ（ｖ电压等级断口绝缘水平。５）主开关真空灭弧室采用环氧固封，隔离开关静触座采用复合绝缘屏蔽，减少相间及对地距离。６）设计研制了适合于２４ｋＶ电压等级氮气绝缘的支撑绝缘子和穿墙套管。７）在绝缘子高压端、负荷开关（断路器）主轴接地嵌件、隔离式负荷开关（断路器）静触座等电场局部集中处采用电场屏蔽措施降低电场集中。８）氮气绝缘环网柜的安装、组合和拼接使用基本与目前的ＳＦ６环网柜相同。２．２结果分析型式试验成功验证了在１２～２４ｋＶ电压等级，以低压力的氮气绝缘为主，局部辅之以复合绝缘是可以实现氮气绝缘环网柜。但在具体实施中应考虑以下几方面：ｌ一主母线；２一旋转式断路器极柱；３一隔离开关静触座；４一支母线５—进线套管：６—接地开关；７一支撑绝缘子图１０Ｆｉｇ．１０１２～２４ｋＶ氮气绝缘环网柜ＲＭＵｌ２～２４ｋＶＮｉ仃ｏｇｅｎｉｎｓｕｌａｔｅｄ万方数据钱立骁，陈慎言：１２～２４ｋｖ氮气绝缘墅堕塑塑婴型——————里消除水分对沿面绝缘的影响。１）在纯氮气气隙绝缘中，应注意母线直径的选取。较大直径可以降低绝缘结构的几何特性系数尸＝（ｒ＋钟，其中ｒ为导体电极半径，ｄ为导体电极间净距，从而获得较低电场不均匀系数。在氮气绝缘柜中应保证电场不均匀系数２～３，这样可以获得较小绝缘距离，实现较小的柜体尺寸。影响气隙绝缘的还有不锈钢板表面焊接颗粒物，和带电体表面的突出物，这种颗粒状的焊渣或突出物会导致电场集中，该处最大电场场强约为３结论本文通过改进和优化环网柜内绝缘结构，研究设计和试制成功了采用氮气或干燥空气绝缘的１２～２４ｋｖ环网柜，它可以实现既不改变环网柜的箱式结构形式即不锈钢薄钢板焊接和微正气压结构形式，又保持了与ＳＦ６环网柜类似的外形尺寸以及紧凑、小巧、便于安装使用的特点。１）优化电极形状，可以降低气隙间电场不均匀系数至２～３，实现氮气气隙绝缘。２）采用复合绝缘，可以比纯气隙绝缘降低气隙间最大电场强度约２０％，实现更小的柜体尺寸。３）采用双断口结构和复合屏蔽，可以降低静触座表面氮气介质中电场强度，实现工频耐受７５ｋＶ／ｌ晶。。＝３Ｕ硒ｕ…，其中Ｕ为相对地电压，翻为高压导体到焊渣点的距离。因此，在生产和加工中要对临近高压导体的焊渣颗粒和带电体表面的突出物予以清除。２）采用复合绝缘是降低氮气介质内电场强度的有效方法，但复合绝缘层要保证一定厚度，才能有效降低氮气介质内电场强度。在本氮气绝缘环网柜中绝缘层厚度为１０～１５ｍｍ，相对于纯气隙可降低气体介质内电场强度约２０％。同时，采用固体复合绝缘需要注意固体绝缘材料和电极间应无气隙。由于固体绝缘材料的相对介电常数较大，所以气隙会导致该处局部场强更加集中，气体更易发生电离而击穿或局部放电。３）由于隔离开关的结构特点，当开关处于分闸位置时气室内的高压导体在隔离断口处形成中断，导致该处电场集中，绝缘相对薄弱。在２４ｋＶｍｉｎ，雷电冲击耐受±１４５ｋＶ隔离断口绝缘水平。４）优化绝缘件中电极和绝缘体的外形和尺寸，可以降低沿面绝缘破坏起始处电场强度，实现在氮气介质中工频耐受６５ｋＶ绝缘水平。５）采用屏蔽技术降低局部电场集中，可以提高氮气绝缘环网柜整体绝缘能力，满足ＩＥＣ６２２７１—１和ＧＢ１１０２２标准的２４ｋＶ电压等级绝缘水平。６）采用氮气或干燥空气绝缘的环网柜在生产中必须对带电体表面突出物、气箱焊渣及气室内水分予以必要控制。ｋＶ／ｌｍｉｎ，雷电冲击耐受±１２５电压等级氮气绝缘中如采用传统ＳＦ６气体绝缘环网柜中单断口闸刀形式，会需要远大于ＳＦ６气体绝缘的空间尺寸，不能实现与ＳＦ６气体绝缘环网柜相类似尺寸。采用双断口结构和静触头复合屏蔽是降低氮气介质内电场强度，实现断口绝缘水平的有效途径。４）绝缘件的设计是氮气绝缘柜研制中的重点，通过优化电极和绝缘体的外形和尺寸，可以实现氮气绝缘的绝缘子和母线套管。但２者沿面绝缘破坏起始原因不同，前者是因高压电极附近切向电场集中而发生绝缘击穿，后者是因接地法兰附近法向电场集中而导致绝缘击穿，因此绝缘结构的优化设计侧重点也不同。另外，氮气内的水分对绝缘件沿面绝缘性能也有显著影响。当相对湿度大于３０％时，亲水性固体绝缘材料的绝缘表面闪络电压会有明显下降１２０１。这是因为水的相对介电常数ｓｒ为８１．５，表面凝露导致参考文献Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ［１】严璋，朱德恒．高电压绝缘技术【Ｍ】．北京：中国电力出版社，２００７：１４８．１７２．ＹＡＮｚｈａｎ昌ｚＨｕＤｅｈｅｎｇ．ＨｉｇｈＶｏＩｔａｇｅｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｏＩｏｇｙ［Ｍ］．ＢｅＵｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ：ＣｈｉｎａＥｌｅｃ研ｃＰｏｗｅｒＰｒｅｓｓ，２００７：１４８－１７２．【２】邓云坤，肖登明，陈炯．ＣＦ３ｌ－Ｎ２混合气体作为ＳＦ６替代气体用于ＧｌＳ／Ｃ—ＧＩＳ的绝缘性能分析［Ｊ】．高电压技术，２０１３，３９（９）：２２８８—２２９３ＤＥＮＧＹ山Ｌｋｕｎ，ＸｌＡＯＤｅｎｇｍｉｎｇ，ＣＨＥＮＪｉｏｎｇ．Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎｐｅｒｆｏ卜ｍ柚ｃｅｏｆＣｂＩ・Ｎ２ｇａｓｍｉｘｍｒｅｓ髂ａｌｔｅｍａｔｉＶｅｆｏｒＳＦ６ｉＩｌＧＩｓ／ｃ－ＧＩＳ［Ｊ］Ｈｉ曲ＶｏｌｔａｇｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎ昌２０ｌ３，３９（９）：２２８８－２２９３【３】邱毓昌，冯允平．ＳＦ６，Ｎ２混合气体绝缘强度的计算［Ｊ］．中国电机］：程学报，１９９３，１３（Ｓ１）：５７—６２．ＱＩＵＹｕｃｈ柚昌ＦＥＮＧＹＬｕｌｐｉｎｇ．Ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｏｆｄｉｅｌｅｃ订ｉｃｓ仃ｅｎｇｔ｝ＩｏｆＳＦ６，Ｎ２ｇ觞ｍｉｘｔｕｒｅ【Ｊ】．ＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＣＳＥＥ，１９９３．１３（Ｓ１）：５７．６２．ｏｎ【４】ＱｉｕＹ＇ＣｈａｌｍｅｒｓＩＤ．Ｅ行ｋｔｏｆｅｌｅｃｎ℃Ｉｄｅｓｕｒｆａｃｅｒ叫ｇ｝ｌｎｅｓｓｄｏｗｎｉｎＳＦ６一Ｎ２ａｒＩｄＳＦ６－Ｃ０２ｂｒｅａｌ（一ｇ鹊ｍｉｘｍｒｅｓ【Ｊ】．ＰｈｙｓｉｃｓＤＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，１９９３，２６（１１）：１９２８一１９３２．［５】邱毓昌．ＧＩｓ装置及其绝缘技术［Ｍ］．北京：水利电力出版社．１９９８：１０－１６．电场局部集中，发生沿面闪络。因此，在气室装配中可采取绝缘件烘干的措施控制气体内水分含量，ＱＩｕＹｈｃｈａｌｌ吕ＧＩｓ锄ｄｉｎｓｕＩａｔｉｏｎｔｅｃ｝ＩｌｌｏＩｏｇｙ［Ｍ】．Ｂｅ玎ｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ：ｗａ．万方数据—————————————————————————————————————————＿二—二————————一ｔｅｒＲｅｓｏｕｒｃｅｓａｎｄＨｙｄｍｐｏｗｅｒＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＰｒｅｓｓ，１９９８：１０．１６！！兰［６】高电压技术２０１４，４０（１２１二：：：：：：！：：！［１６］徐志钮，律方成．刘云鹏，等．基于有限元法的绝缘Ｆ污闪模型［Ｊ】．高电压技术，２０１１，３７（９）：２２２５．２２３２．ＸＵ蔡新景，邹晓兵，王新新．氮气短间隙的耐受电压和气体密度恢复特性［Ｊ】．高电压技术．２０１ｌ，３７（６）：１４７１．１４７８．ＣＡＩｚｈｉｎｉｕ，ＬＯＦａｎｇｃｈｅｎｇ，ＬＩＵ１’ｎｌｎｐｅｎｇ，Ｐ，口，Ｉｎｓｕｌａｔｏｒｐｏｌｌｕｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄ【Ｊ】Ｈｉｇｈ、，０ｌｔａｇｅＥｎｇｉ．ｘｉｎｊｉｎｇ，ＺＯＵｘｉａｏｂｉｎｇ，ｗＡＮＧＸｉｎｘｉｎ．ＲｅｃｏｖｅｒｙｏｆｈｏＩｄ．ｏｆｆｆＩａｓｈｏＶｅｒｍｏｄｅｌｕｓｉｎｇｆｉｎｉｔｅｅｌｅｍｅｎｔＶｏｌｔａｇｅａ１１ｄｇ鹊ｄｅｎｓ时ｉｎｓｈｏｎｎｉ仃ｏｇｅｎｇ印ｓ［Ｊ］Ｈｊ曲ｖｏＩｔａｇｅＥｎｇｉ—ｎｅ丽ｎｇ，２０１ｌ，３７（９）：２２２５—２２３２．［１７］关志成，彭功茂，王黎明，等．复合绝缘ｒ的应用及关键技术研究［Ｊ］高电压技术，２０１ｌ，３７（３）：５１３．５１９．ＧＵＡＮＺｈｊｃｈｅｎｇ，ＰＥＮＧＧｏｎｇｍａｏ，、ｖＡＮＧＬｉｍｉｎ晷Ｐ，口，．Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｎｅｅｒｉｎｇ，２０ｌＩ，３７（６）：１４７ｌ－１４７８．［７］曾嵘，耿屹楠，牛彝，等．空气间隙放电物理参数测量研究进展［Ｊ］．高电压技术，２０１１，３７（３）：５２８．５３８．ＺＥＮＧＲｏｎ毋ＧＥＮＧＹｉＩｌａｎ，ＮＩＵＢｅｎ，Ｐ，口，．Ｒｅｓｅａｒｃｈｐｒ０伊ｅｓｓｒａｍｅｔｅｒｓｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｏｆａｉｒｇａｐｏｎｐａ．ａｎｄｋｅｙｔｅｃｈｎｉｃａｌｓｔｕｄｙｏｆｃｏｍｐｏｓｉｔｅｉｎｓｕｌａｔｏｒｓ【Ｊ］．Ｈｉ曲、，ｏｌｔａｇｅＥｎ・ｄｉｓｃｈａ唱ｅ［Ｊ】．Ｈｉｇｈ、，ｏｌｔａｇｅｇｉｎｅｅ＾ｎｇ，２０ｌｌ，３７（３）：５１３—５１９．［１８】梁曦东，王晶，蔡元纪，等．复合绝缘子表面污层固着及其对绝缘性能的影响［Ｊ】高电压技术，２０】３．３９（６）：１２９６．１３０３．ＬＩＡＮＧｘｉｄｏｎ晷ｗＡＮＧＪｉｎｇ，ｃＡｌｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎ昏２０１１，３７（３）：５２８－５３８［８］刘兴华，何为，杨帆，等．空气放电中电子输运参数的计算与分析【Ｊ］．高电压技术，２０１１，３７（７）：１６１４一１６１９．ＬＩＵＸｉｎｇｈｕａ，ＨＥＷｅｉ．ＹＡＮＧＦａｎ，“口，．Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎａｎｄａｎａｌｙｓｉｓｏｆｅｌｅｃ仃ｏｎ仃ａｎｓｐｏｎｐａｒａｍｅｔｅｒｓｉｎａｉｒＹｕａｎｊｉ，“口，．Ｆｉｘａｔｉｏｎｏｆｄｕｓｔｌａｙｅｒｉｔｓｃｏｍｐｏｓｉｔｅｉｎｓｕｌａｔｏｒｓｕ而ｃｅ卸ｄｅ胞ｃｔ０ｎｉｎｓｕｌａｔｉｎｇｐｒｏｐｅｎｉｅｓ【Ｊ】ｄｉｓｃｈａ唱ｅ［Ｊ］Ｈｉ曲ｖｏｌｔａｇｅＥｎｇｉ—Ｈ曲ｖｏｌｔａｇｅＥｎｇｉｎｅ州ｎｇ，２０１３，３９（６）：１２９６－１３０３．［１９］谢从珍，刘珊，刘芹，等．交流５００ｋＶ复合绝缘子内部缺陷对轴向电场分布的影响［Ｊ］．高电压技术，２叭２．３８（４）：９２２—９２８ｘＩＥＣｏｎｇｚｈｅｎ，ＬＩＵＳｈａｎ，ＬＩＵ５００ｋＶＡＣｃｏｍｐｏｓｉｔｅｉｎｓｕｌａｔｏｒｔｈｅｎｅｅｒｉｎｇ，２０１ｌ，３７（７）：１６１４一１６１９．［９］周泽存，沈其工，方瑜，等．高电压技术［Ｍ］．２版．北京：中国电力出版社，２００４：２９．３５．ＺＨＯＵＺｅｃｕｎ，ＳＨＥＮＱｉｎ，甜口，．ＩｎｔｅｍａｌｄｅｆｅｃｔｓｉｎｎｕｅｎｃｅｏｆｏｎＱｉｇｏｎｇ，ＦＡＮＹｕ，“ｄ，．Ｈｉｇｈｖｏｌｔａｇｅｔｅｃｈｎｏｌｏ－ｔｈｅｅＩｅｃｔｒｉｃ行ｅｌｄｄｉｓ埘ｂｕｔｊｏｎａｌｏｎｇｇｙ【Ｍ】．２ｎｄｅｄ．ＢｅＵｉｎ臣Ｃｈｉｎａ：ｃｈｉｎａＥｌｅｃ仃ｉｃＰｏｗｅｒＰｒｅｓｓ，２００４：２９．３５．ａｘｉｓ【Ｊ］．Ｈｉｇｈ、，０ｌ协ｇｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２０１２，３８（４）：９２２—９２８．［２０］黎斌．ＳＦ６高压电器设计［Ｍ】．３版．北京：机械］：、止｝＿¨版社，２０ｌＯ：１１－１４．ＬＩＥ１ｅｃｔｒｉｃａｌｉｎｓｕｌａｔｉｎｇｓｔｎｌｃｔＩｌｒｅ［１０］刘其昶．电气绝缘结构设计原理［Ｍ】．西安：西安交通大学，２００７：１６—２２．ＬＩＵＢｉｎ．ＳＦ６ｈｉｇｈＶｏＩｔａｇｅ印ｐａ豫ｎＪｓ【Ｍ】．３ｒｄｅｄ．Ｂｅ巧ｉｎｇ，Ｃｈｉｎａ：Ｍｅ—Ｑｉｃｈ柚ｇｄｅｓｉｇｒＩｐｒｉｎｃｉｐｌｅ［Ｍ】．ｃｈａｌｌｉｃａｌＩｎｄｕｓｔｒｙＰｒｅｓｓ，２０ｌＯ：１１—１４Ｘｉ’ａｎ，Ｃｈｉｎａ：Ｘｉ’ａｎＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉＶｅｒｓｉｔｙＰｒｅｓｓ，２００７：ｌ６—２２．［１１］梁曦东，陈昌渔，周远翔．高电压工程［Ｍ】．北京：清华大学出版社，２００３：７２．７５ＬｌＡＮＧｘｉｄｏｎ昏ＣＨＥＮ钱立骁１９７２一，男，工程师Ｃｈａｎｇ”，ｚＨＯＵＹｕａＩｌｘｉａＩｌｇ．ＨｉｇｌｌＶｏｌｔａｇｅｅ１１－主要从事Ｃ．ＧＩＳ气体绝缘开关柜的研发电话：（０２１）６９９００２８０Ｅ－ｍａｉｌ：ｔ１—ｑｉ∞ｌｘ＠ｐｉｎｇｇａ０．ｓｇｃｃ．ｃｏｍ．ｃｎｇｉｎｅ甜ｎｇ【Ｍ】＿ＢｅＵｉｎｇ，ｃｈｉｎａ：ＴｓｉｎｇＩｌｕａｕＴｌｉｖｅｆｓ时Ｐｒｅｓｓ，２００３：７２・７５【１２】张强华，谭燕，邬建刚．４０．５ｋＶ无ＳＦ６Ｃ－Ｇｌｓ开关柜研究［Ｊ】高压电器，２叭１，４７（６）：２９—３８．ＺＨＡＮＧＪｉａｎｇｈｕａ，ＴＡＮＹａｎ，ＷＵＪｉ狮ｇ锄ｇ．Ｒｅｓｅａｒｃｈｏｆ４０．５ｋＶｎｏｎｓＦ６Ｃ—ＧＩＳ［Ｊ］ＨｉｇｈＶｂｌｔａｇｅＡｐｐａｒａｃｕｓ，２０ｌｌ，４７（６）：２９－３８．［１３】１ｍ锄ｏＡＭ，ＦｅｓｅｒＫ．Ｆ１ａｓｈｏＶｅｒｂｅｈａＶｉｏｒｏｆｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇｐａｎｉｃｌｅｏｎｔｈｅｓｐａｃｅｒｉｎｃｏｍｐｒｅｓｓｅｄｉｍｐｕｌｓｅＮ２，９０％Ｎ２＋１０％ｓＦ６柚ｄｓＦ６ｕｎｄｅｒｌｉｇｈｔｎｉｎｇＳｔｒｅｓｓ［Ｃ］∥ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅＲｅｃｏｒｄｏｆｔｈｅ２０００ＩＥＥＥＩｎｔｅｍａｔｉｏｎａｌｏｎ陈慎言Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ２９６．２９９Ｅ１ｅｃⅢｃａｌ１９６６一，男，硕士，高工主要从事Ｃ．ＧＩＳ气体绝缘开关柜的研究及技术管理电话：（０２１）６９９００８０３ＩｎｓｕＩａｔｉｏｎ．Ａｎａｌｌｅｉｍ，ＵＳＡ：ＩＥＥＥ，２０００：［１４】成俊奇．ｓＦ６、Ｎ２和合成空气中绝缘子沿面闪络性能的研究［Ｄ】．北京：华北电力大学，２００８．ＣＨＥＮＧＪｌＩｌｌｑｉ．ＳｔｕｄｙｏｎｆｌａｓｈｏＶｅｒｐｅ雨ｍａｎｃｅｏｆｉｎｓｕｌａｔｏｒｓｉｎＮ２，Ｅ—ｍａｉｌ：ｔＬｃｈｅＩｌｓｙ＠ｐｉｎｇｇ∞．ｓｇｃｃ．ｃｏ札ｃｎｓＦ６粕ｄｓ”ｔｌｌｅｔｉｃａｉｒ［Ｄ】．Ｂｅ巧ｊｎ晷ｃｈｉｎａ：ＮｏｎｈｃｈｉｎａＥ１ｅｃ们ｃＰｏＷｅｒＵｎｉＶｅｒｓｉｔｙ’２００８．【１５】王新新．刘微粒，王强，等．绝缘子表面电场及电荷的测量［Ｊ】．高电压技术，２０１ｌ，３７（３）：７３２—７３８．ＷＡＮＧＸｉｎｘｉｎ，ＬＩＵｗｅｉｌｉ，ＷＡＮＧＱｉａｎｇ，“耐．ＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓｏｆｅＩｅｃ喇ｃｆｉｅｌｄ柚ｄｃｈａｒｇｅｏｎｉｎｓｕＩａｔｏｒｓｕｒｆａｃｅ［Ｊ】ＨｊｇｈＶ０ｌｔａｇｅＥｎｇｉ—１４．０９—０２修回日期２０１４．１２－１２编辑李东ｎｅ鲥ｎｇ，２０ｌｌ，３７（３）：７３２－７３８．万方数据12～24kV氮气绝缘环网柜的研制
作者：作者单位：刊名：英文刊名：年，卷(期)：
钱立骁， 陈慎言， QIAN Lixiao， CHEN Shenyan上海天灵开关厂有限公司,上海,201808高电压技术
High Voltage Engineering2014,40(12)
引用本文格式：钱立骁.陈慎言.QIAN Lixiao.CHEN Shenyan 12～24kV氮气绝缘环网柜的研制[期刊论文]-高电压技术 2014(12)
