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专利名称：一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法专利类型：发明专利
发明人：何云斌,黎明锴,丁雅丽,张蕾,尚勋忠,常钢,李派申请号：CN201510147291.1申请日：20150331公开号：CN104831241A公开日：20150812
摘要：本发明公开了一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：采用ZnS作为溅射靶材，采用m面蓝宝石作为衬底；清洗靶材和衬底，将靶材和衬底分别固定在靶台和样品台上装入真空室，并抽真空至真空度为5×10Pa以下；设定衬底温度为400-700℃；开启氧气阀，使真空室内的氧压稳定在0.02-5Pa；设定激光器的激光脉冲能量、激光脉冲频率和激光脉冲个数；启动靶台和样品台的自转，开启激光器，激光预溅射靶材2-3分钟后开始沉积，沉积完成后关闭激光器；让沉积的薄膜自然冷却至室温后再取出真空室。本发明的有益效果：制备工艺简单，所需设备要求低，且制备方法易于控制。
申请人：湖北大学
地址：430000 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
国籍：CN
代理机构：北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人：吴甘棠
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