MOS管应用电路

问题现象：GS4300AD带硬盘启动不起机，若起机之后再插硬盘就能正常工作。

原因分析：主要是MOS管控制电路问题，硬盘是感性负载，上电时，在MOS管打开瞬间漏极尖峰电流较大造成MOS管的S极即输入电压5V电压跌落。如图1所示：

图1

图1中蓝色波形为5V输入,绿色波形为STD5V输出,可以看出STD5V反复上电掉电，5V也反复有个跌落。

解决办法：有效降低尖峰电流的办法是增大MOS管打开时间，解决办法是把R2设置为20K，采用如图2所示电路。

图 2

关键参数为图中R1，R2，C1，以输入电压12V进行测试，测试数据如表1所示：

序R1(K) R2(K) C1 号 A 10 2 100nF B 100 20 100nF C 100 20 100nF D 100 20 1uF E 100 20 2.2uF F 100 20 4.7uF G 100 47 4.7uF H 100 47 100nF I 100 100 100nF C2 1uF IDM(A) 13.5 7.5 7.5 3.7 3.12 2.55 2.55 5.6 4.5 表1

由表1中的数据CDEF比较得到漏极尖峰电流随C1变化曲线如图

3所示：

8系列120100nF1uF2.2uF4.7uF 图3

从图中看出GS两端电容越大，漏极尖峰电流越小。

由表1中CHI看比较得到漏极尖峰电流随R2变化曲线如图4所示：

8202047100系列1 图4

从图4中看出R2越大漏极尖峰电流越小。

如图5所示，有些设计是没有C1和C3，但是有C2，经测试由表1中看出C2处的电容应该去掉，对抑制尖峰电流作用不大。而C3处的电容是不能加的，它会充电使VG电压变为5V。而由测试数据知C1处的电容必须加。

图 5

相比较而言，对于12V输入 R1=100K,R2=20K,C1=4.7uF最好。而对于5V输入，R1=100K,R2=20K,C1=1uF就可以。输入电压越低尖峰电流越小。