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专利名称：薄膜晶体管及其制造方法专利类型：发明专利发明人：石井孝英,大岛宜浩申请号：CN201110355115.9申请日：20111028公开号：CN102456581A公开日：20120516
摘要：本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，其中公开了具有栅电极和氧化物半导体层以栅极绝缘层插入该栅电极和氧化物半导体层之间的方式设置并且源/漏电极电气连接至氧化物半导体层的结构的薄膜晶体管的制造方法，该方法包括：通过使用溅射，在源/漏电极、栅极绝缘膜和氧化物半导体层中的任何一个上依次沉积作为保护膜的氧化铝(AlO)层和铝(Al)层。
申请人：索尼公司
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
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