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专利名称：晶体管及其形成方法专利类型：发明专利发明人：赵猛
申请号：CN201510904217.X申请日：20151209公开号：CN106856168A公开日：20170616
摘要：一种晶体管及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底包括衬底以及依次位于衬底表面的应力层和沟道层；在基底上形成栅极结构；去除栅极结构两侧的沟道层，并在剩余沟道层侧壁内形成凹槽；去除栅极结构两侧的应力层和部分厚度的基底，形成第一开口；填充第一开口形成应力层。本发明通过在基底内设置应力层，使位于栅极两侧基底内的应力层分为位于沟道层内具有凸出的部分以及位于应力层和衬底内的部分。位于沟道层内应力层的凸出能够向沟道层内的沟道引入应力，位于应力层和衬底内的应力层能够增大应力层的体积，以增大沟道区的应力。以提高沟道内载流子的迁移率，达到改善晶体管的性能。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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