一种提高湿法蚀刻效率的方法

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201310613330.3 （22）申请日 2013.11.27

（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

（10）申请公布号 CN104681421B

（43）申请公布日 2017.11.10

（72）发明人 刘佳磊

（74）专利代理机构 北京市磐华律师事务所

代理人 董巍

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种提高湿法蚀刻效率的方法

（57）摘要

本发明提供一种提高湿法蚀刻效率的

方法，包括：将氮气充分溶解于用于去除硅层的湿法蚀刻的碱性液体；将充分溶解有氮气的碱性液体导入蚀刻操作室，以用于蚀刻去除所述硅层。根据本发明，在不需要加热用于去除所述硅层的湿法蚀刻的碱性液体的情况下，即可大幅提升所述碱性液体对所述硅层的蚀刻速率，进而降低热预算，有效控制安全风险。 法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态

法律状态公告日

2015-06-03 2015-06-03 2015-07-01 2015-07-01 2017-11-10

公开 公开

法律状态信息

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实质审查的生效 实质审查的生效 授权

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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