一种GaAs PIN光电探测器件含硅化合物的刻蚀方法

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201611180851.4 （22）申请日 2016.12.20

（71）申请人 成都海威华芯科技有限公司

地址 610029 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内

（10）申请公布号 CN106784143B

（43）申请公布日 2018.07.06

（72）发明人 陈一峰;余晓波

（74）专利代理机构 成都华风专利事务所(普通合伙)

代理人 徐丰

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种GaAs PIN光电探测器件含硅化合物的刻蚀方法

（57）摘要

本发明涉及半导造业技术领域，

尤其涉及一种GaAs PIN光电探测器件含硅化合物的刻蚀方法，所述GaAs PIN光电探测器件具体为在晶圆上生长含硅化合物，在含硅化合物上采用光刻工艺形成刻蚀图形，该方法包括如下步骤：采用2‑5次反应离子束方法刻蚀含硅化合物，每次按照预设时长刻蚀含硅化合物；采用BOE腐蚀液进行湿法刻蚀工艺，从而提高了刻蚀效率。 法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态

法律状态公告日

2017-05-31 2017-05-31 2017-06-23 2017-06-23 2018-07-06

公开 公开

法律状态信息

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实质审查的生效 实质审查的生效 授权

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权利要求说明书

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说明书

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