测量晶体管输出特性曲线
1. 实验目的
1） 理解晶体管输出特性；
2） 掌握直流扫描分析方法；
3） 掌握后处理器的使用。
2. 实验内容
如图1所示为晶体管输出特性曲线测试电路，在multiSIM2001 环境下，无须通过逐点测量来产生特性曲线，使用DC Sweep 分析功能，并通过后处理器的配合使用，可以直接获得晶体管输出特性曲线。
图1
（1） 直流扫描分析
① 执行菜单“Simulate”→“Analyses”→“DC Sweep”进行参数扫描分析。
② 根据图2所示进行参数设置，其中Source 1 设置为Use，Source 2 设置为Ib。
图2
③ 设置输出节点为流过电压源Vce的电流，即vvce#branch，实际上就是-Ic。
④ 单击图2中的【Simulate】按钮，系统进行仿真分析，屏幕弹出如图3所示的分析结果图。显然，该图中的曲线与实际的晶体管输出特性曲线有一定的不同，主要在于纵坐标，图中为vvce#branch，实际上就是-Ic，这不符合正常的习惯，所以要通过后处理器来解决这个问题，即把纵坐标倒相。
图3
（2） 后处理器的使用
① 执行菜单“Simulate”→“Post process”，屏幕弹出后处理器对话框，如图4所示。
图4
② 单击【New Page】按钮，建立新页“NPN型晶体管输出特性曲线”。
③ 单击【New Graph】按钮，建立新曲线“NPN特性曲线”。
④ 在Analysis Results 栏中选中“DC transfer characteristic (dc01)”；然后选中Availabe functions 栏中的函数“—”，单击【Copy Function To Track】按钮；再选中Analysis Variables 栏中的变量“vvce#branch”，单击【Copy Variable To Track】按钮，定义变量；最后单击【Add Track】按钮，确定曲线“-dc01.vvce#branch”（即把纵坐标改为Ic），并显示在Track to plot栏中。用同样的方法设置其他6条曲线，如图4所示。
⑤ 单击图4中的【Draw】按钮，系统进行仿真分析，屏幕弹出分析结果图，如图5所示。从图中可以看出，经过后处理的曲线与实际的晶体管特性曲线一致。
图5
