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专利名称：光开关结构、相关的制造方法以及具有光开关结构
和电压源的装置
专利类型：发明专利
发明人：胡思福,胡佳洁,菲利克斯·胡申请号：CN202010887547.3申请日：20200828公开号：CN112531072A公开日：20210319
摘要：本发明公开了一种光开关结构(2)，包括具有n区(5)的半导体衬底(4)，布置在所述半导体衬底(4)的n区侧的氢化SiNx层(8)，与所述n区(5)接触的阴极(9)，和与所述SiNx层(8)接触的阳极(10)，其中，所述光开关结构(2)设置成，当在所述阳极(10)与所述阴极(9)之间施加外部电压时，用光(L)照射所述SiNx层(8)，以切换到非线性导电状态。
申请人：成都特频微电子科技发展有限公司
地址：610054 四川省成都市建设北路3段168号
国籍：CN
代理机构：北京聿宏知识产权代理有限公司
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