黉 Ｐｒｅｓｓ Ｔｒａｎｓ．Ｎｏｎｆｅｒｒｏｕｓ Ｍｅｔ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｎａ ２１（２０１ １）１ １８５－１ １９２ Ａｖａ・ｉ：ｌａ；ｂｌ ｅ ｏ，ｎＳｌｉｎｅｃ ａｉｔｅ １＾，ｎｖＩｎ＾ｃｆ．ｓｅｃｉｅＤｎｃｅｉｄｒｉｅｒｃｔ．ｃｔｏ ｍ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｎｏｎｆｅｒｒｏｕｓ Ｍｅｔａｌｓ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｃｈｉｎａ ｗｗｗ．ｔｎｍｓｃ．ｃｎ Ｌｏｗ—ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｕｒｉｉｃａｔｉｆｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｓｉｌｉｃｏｎ ＺＨＡＯ Ｌｉ．ｘｉｎ 一，ＷＡＮＧ Ｚｈｉ ，ＧＵＯ Ｚｈａｎ．ｃｈｅｎｇ ，一，ＬＩ Ｃｈｅｎｇ。ｙｉ １．Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｆｏｒ Ｈｙｄｒｏｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａ１ Ｃｌｅａｎｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｃｈｉｎｅｓｅ Ａｃａｄｅｍｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １ ００ １ ９０，ＣｈｉＩｌａ： ２．Ｇｒａｄｕａｔｅ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｃｈｉｎｅｓｅ Ａｃａｄｅｍｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００４９，Ｃｈｉｎａ； ３．Ｓｔａｔｅ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆＡｄｖａｎｃｅｄ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ， Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ｎｄ ａＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｂｅｉｊｉｎｇ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １ ０００８３，Ｃｈｉｎａ； ４．Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ａｎｄ Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ． Ｃｈｉｎａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆＭｉｎｉｎｇ ｎｄ ａＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ ｌ０００８３，Ｃｈｉｎａ Ｒｅｃｅｉｖｅｄ ２２ Ｏｃｔｏｂｅｒ ２０ １ ０；ａｃｃｅｐｔｅｄ ２４ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ ２０ １ ０ Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ Ｂ ａｎｄ Ｐ ｃｏｎｓｕｍｅｓ ｍｏｓｔ Ｏｆ ｈｅａｔ ｅｎｅｒｇｙ ｉｎ Ｓｉ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｕｆｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｏｒ ｓｏｌａｒ－ｇｒａｄｅ Ｓｉ． Ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ ｐｕｒｉｉｆｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｒａｄｅｇ ｓｉｌｉｃｏｎ（ＭＧ．Ｓｉ）．ａｌｓｏ ｃａｌｌｅｄ Ｓｉ．ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｆｒｏｍ ｍｅｔａｌ１ｉｑｕｉｄ．ｗａｓ ａ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｅｎｅｒｇｙ．ｓａｖｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ Ｂ ａｎｄ Ｐ ｅｆｉｃｉｆｅｎｔｌｙ，ｓｉｎｃｅ Ｓｉ ｃｏｕｌｄ ｂｅ ｍｅｌｔｅｄ ａｔ ｌｏｗｅｒ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｂｙ ａｌｌｏｙｉｎｇ ｗｉｈ ｍｅｔｔａ１． Ｔｈｅ ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ ｃｒｉｔｅｒｉａ ｏｆ ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ ｓｙｒｓｔｅｍ ｗａｓ ｅｌａｂｏｒａｔｅｄ，ａｎｄ Ａ１，Ｓｎ ａｎｄ Ｉｎ ｗｅｒｅ ｓｅｌｅｃｔｅｄ ｏｕｔ ａｓ ｔｈｅ ｏｐｔｉｍｕｍ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｍｅｄｉｍｓ．Ｆｏｒ Ｓｎ．Ｓｉｕ ｓｙｓｔｅｍ．ｔｈｅ ｓｅｇｒｅｇａｆｉｏｎ ｃｏｅ￣ｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｂ ｄｅｃｒｅａｓｅｄ ｔｏ ０．０３８ ａｔ １ ５００ Ｋ，ｗｈｉｃｈ ｗａｓ ｍｕｃｈ ｌｅｓｓ ｔｈａｎ ０．８ ａｔ ｔｈｅ ｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔ ｏｆＳｉ．Ｔｈｅ ｍａｓｓ ｆｒａｃｔｉｏｎ ｏｆＢ ｗａｓ ｄｉｍｉｎｉｓｈｅｄ ｆｒｏｍ １５×１０－ｏ ｔＯ ０．１ｘ１０＿ｏ ａｓ ＭＧ．Ｓｉ ｗａｓ ｐｕｒｉｉｅｄ ｂｙ ｆｔｗｉｃｅ．ｗｈｉｌｅ ｔｈａｔ ｏｆ ｍｏｓｔ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｅｌｅｍｅｎｔｓ ｃｏｕｌｄ ｂｅ ｄｅｃｒｅａｓｅｄ ｔｏ ０．１ ｘ １０＿。ｂｙ ｐｕｆｆｆｙｉｎｇ ｉｕｓｔ ｏｎｃｅ．Ｄｕｒｉｎｇ ｈｅ ｔｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ，ｔｈｅ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ｂｅｔｗｅｅｎ ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｅｌｅｍｅｎｔｓ ａｎｄ Ｓｉ ｗａｓ ａｌｓｏ ａｎ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ｒｏｕｔｅ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｒｅｍｏｖａ１．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｏｎｅ ｌｏｗ．ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｍｅｔａｌ－ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ｗａｓ ｐｒｏｐｏｓｅｄ． Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｍｅｔａｌ１ｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ；ｍｅｔａｌｌｒｇｉｕｃａｌ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ：ｔｉｎ．ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｙｓｔｅｍ：ｓｏｌａｒ ｇｒａｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ Ｂｅｃａｕｓｅ ｏｆ ｔｈｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ ａｍｏｎｇ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ．ｎｏ １ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ Ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｒａｐｉｄ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｉｎｄｕｓｔｒｙ， ｔｈｅ ｍａｉｎ ｆｅｅｄ ｓｔｏｃｋ ｆｏｒ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ ｃａｌｌｅｄ ｓｏｌａｒ ｇｒａｄｅ ｍｅｔｈｏｄ ｃａｎ ｈｉｇｈ．ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙ ｒｅｍｏｖｅ ａｌｌ ｔｈｅ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｏｎｃｅ ｆｏｒ ａｌｌ ａｎｄ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｉｓ ａｌｗａｙｓ ｔｈｅ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ ｄｉｆｅｒｅｎｔ ｍｅａｎｓ［２］．Ｔｈｅ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｉｎｓｉｄｅ ＭＧ．Ｓｉ ｃａｎ ｂｅ ｃｌａｓｓｉｆｉｅｄ ｉｎｔｏ ｔｗｏ ｃａｔｅｇｏｒｉｅｓ：ｓｏｍｅ ａｒｅ ｓｏｌｉｄ．ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ ｉｎｓｉｄｅ Ｓｉ ｍａｔｒｉｘ ａｎｄ ｓｏｍｅ ｓｅｇｒｅｇａｔｅ ａｔ ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｉｅｓ． Ｆｏｒ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ．ｔｈｅ ｌｉｑｕｉｄ．ｓｏｌｉｄ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｃｏｅｆｉｃｉｅｎｔｆ ｏｆ ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｆａｒ ｌｅｓｓ ｔｈａｎ １．ｍｏｓｔ ｏｆ ｔｈｅｍ ｓｉｌｉｃｏｎ（ＳｏＧ．Ｓｉ）ｆａｌｌｓ ｉｎｔｏ ｔｈｅ ｓａｔｔｕｓ ｏｆ ｓｅｒｉＯＵＳ ｓｈｏｒｔａｇｅ． Ａｍｏｎｇ ｎｅｗ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ｆｏｒ ＳＯＧ．Ｓｉ ｕｎｄｅｒ ｒｅｓｅａｒｃｈｉｎｇ． ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ｉｓ ｏｎｅ ｏｆ ｔｈｅ ｍｏｓｔ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ａｐｐｒｏｐｒｉａｔｉｖｅ ｍｅｔｈｏｄｓ［１］．Ｒｅｃｅｎｔｌｙ，ｓｏｍｅ ｔｉｒａｌ ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ｏｆ ｍｉｓ ｐｒｏｃｅｓｓ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｍａｒｋｅｔｅｄ ａｎｄ ｔｈｅｉｒ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ ｈａｖｅ ａｌｓｏ ｃｏｍｅ ｏｕｔ．ＨｏｗｅｖｅＬ ｍｏｓｔ ｏｆ ｔｈｅ ａｐｐｒｏａｃｈｅｓ ｓｅｇｒｅｇａｔｅ ｏｕｔ ａｔ Ｓｉ ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｉｅｓ．Ｔｏ ｒｅｍｏｖｅ ｔｈｅ ｓｅｇｒｅｇａｔｅｄ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ，ａｃｉｄ ｌｅａｃｈｉｎｇ ｉｓ ａｎ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｍｅｔｈｏｄ．Ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｅ伍ｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ａｃｉｄ－ｌｅａｃｈｉｎｇ ｃａｎ ｕｓｅｄ ｉｎ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ，ｓｕｃｈ ａｓ ｓｌａｇｇｉｎｇ ｒｅｆｉｎｉｎｇ， ｖａｃｕｕｍ ｒｅｆｉｎｉｎｇ ａｎｄ ｐｌａｓｍａ ｔｒｅａｔｉｎｇ，ｓｈｏｕｌｄ ｂｅ ｃａｒｒｉｅｄ ｒｅａｃｈ ｕｐ ｔｏ ９５％『３１．Ｔｈｅ ｓｏｌｉｄ．ｄｉｓｓｏＩｖｅｄ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ，ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎａｌ ｅｌｅｍｅｎｔｓ，ｔｈｏｕｇｈ ｔｈｅｉｒ ｏｕｔ ａｔ ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ（ｈｉｇｈｅｒ ｈａｔｎ ｈｅ ｔｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔ ｏｆ ｓｉ）ｆｏｒ ａ ｌｏｎｇ ｔｉｍｅ．Ｔｈｅｒｅｆｏｒｅ．１ｏｗ．ｃｏｓｔ ｉｓ ｓｔｉｌｌ ｔｈｅ ｃｈａｌｌｅｎｇｅ ｆｏｒ ｍｅｔａｌｌｒｇｉｃａｌｕ ｐｒｏｃｅｓｓ ａｎｄ ｓｅａｒｃｈｉｎｇ ｆｏｒ ａｍｏｕｎｔ ｉｓ ｔｒａｃｅ．ｃａｎ ｓｔｉｌｌ ｓｅｒｉｏｕｓｌｙ ｄｅｃｒｅａｓｅ ｔｈｅ ｅ伍ｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ［４１．Ｔ０ ｒｅｍｏｖｅ ｔｈｅｓｅ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ， ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｓｏｌｉｄｉｉｃａｔｉｏｎ ｏｒ ｚｏｎｅ ｒｅｆｆｉｎｉｎｇ ｉｓ ａｎ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｍｅｔｈｏｄ．Ｂｕｔ ｎｏｎｍｅｔａｌｌｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ．ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ ｎｅｗ ｌｏｗ—ｃｏｓｔ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｉｓ ａｌｗａｙｓ ｉｔｓ ｒｅｓｅａｒｃｈ ｔｒｅｎｄ． Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ｉｓ ａｃｔｕａｌｌｙ ｔｈｅ ｏｒｄｅｒｌｙ． ｐｕｒｉｆｙｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ，ｉｎ ｗｈｉｃｈ ｔｈｅ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ａｒｅ Ｂ ｎｄ ｔａｈｅ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓ ｏｆｗｈｉｃｈ ｒｅ ａ０．８ ａｎｄ ０．３５．ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ，ａｒｅ ａｌｍｏｓｔ ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ ｓｏｌｉｄ．ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ ｒｅｍｏｖｅｄ ｓｔｅｐ ｂｙ ｓｔｅｐ ｆｒｏｍ ｍｅｔａｌｌｒｇｉｕｃａｌ ｓｉｌｉｃｏｎ（ＭＧ—Ｓｉ）． ｉｎｓｉｄｅ Ｓｉ ｍａｔｒｉｘ．ｓｏ ａｃｉｄ ｌｃａｃｈｉｎｇ ａｎｄ ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａ１ Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎ ｉｔｅｍ：Ｐｒｏｊｅｃｔ（２００９ＢＡＢ４９Ｂ０４）ｓｕｐｐｏｓｅｄ ｂｙ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｋｅｙ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｒ＆Ｄ Ｐｒｏｇｒａｍ，Ｃｈｉｎａ Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ａｕｔｈｏｒ：ＧＵＯ Ｚｈａｎ—ｃｈｅｎｇ；Ｔｅｌ／Ｆａｘ：＋８６—１０—６２５７９４０２，６２５５８４８９；Ｅ—ｍａｉｌ：ｚｃｇｕｏ＠ｍｅｔａｌ１．ｕｓｔｂ．ｅｄｕ．ｃａ ＤＯＩ：１０．１Ｏ１６／Ｓ１０Ｏ３—６３２６ｒ１１）６０８４１－８ ｌ１８６ ＺＨＡＯ Ｌｉ—ｘｉｎ，ｅｔ ａｌ／Ｔｒａｎｓ．Ｎｏｎｆｅｒｒｏｕｓ Ｍｅｔ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｎａ ２１（２０１１）１１８５—１１９２ ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ ａｒｅ ｎｏｔ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｍｅｔｈｏｄｓ．Ｍｅｔｈｏｄｓ ｏｆ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ａｎｄ ｓｌａｇ ｒｅｆｉｎｉｎｇ ａｒｅ ｐｅｒｆｅｃｔ ｆｏｒ ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ Ｂ ｗｉｔｈ ｈｉｇｈｅｒ ｃｏｎｔｅｎｔ．ｂｕｔ ｎｏｔ ｃｏｍｐｅｔｅｎｔ ｆｏｒ Ｂ ｗｉｍ ｔｒａｃｅ ｃｏｎｔｅｎｔ［５—７］．Ｗｈｉ１ｅ ｔｈｅ ｐｌａｓｍａ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ｉｓ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｆｏｒ ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ Ｂ，ｔｈｅ ｉｎｐｕｔ Ｏｆ ＭＧ．Ｓｉ ｍｕｓｔ ｂｅ ｌｉｔｔｌｅ ｄｕｒｉｎｇ ｐｕｒｉｉｆｃａｔｉｏｎ ｓｏ ｔｈａｔ Ｂ ｃａｎ ｒｅａｃｔ ｗｉｔｈ ｒｅａｃｔｉｖｅ ｇａｓ ａｓ ｓｏｏｎ ａｓ ｐｏｓｓｉｂｌｅ．Ｔｈｅｒｅｂｙ ｔｈｅ仃ｅａｔｍｅｎｔ ｃａｐａｃｉｔｙ ｏｆ ｐｌａｓｍａ ｐｒｏｃｅｓｓ ｉｓ ｓｍａｌｌ ａｎｄ ｉｔｓ ｅｎｅｒｇｙ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ ｉｓ ｈｉｇｈ［８一ｌ１】．Ｆｏｒ Ｐ，ｔｈｅ ｈｉｇｈｅｒ ｓａｔｕｒａｔｅｄ ｖａｐｏｒ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｂｙ ｃｏｎｔｒａｓｔ ｗｉｔｈ Ｓｉ ｍａｋｅｓ ｉｔ ｐｏｓｓｉｂｌｅ ｔｏ ｂｅ ｒｅｍｏｖｅｄ ｂｙ ｖａｃｕｕｍ ｒｅｆｉｎｉｎｇ．Ｈｏｗｅｖｅｒ，ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａ１ ｒａｔｅ ｏｆ Ｐ ｂｅｃｏｍｅｓ ｖｅｒｙ １ｏｗ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｄｅｃｒｅａｓｅ ｏｆ ｉｔｓ ｃｏｎｃｅｎ仃ａｔｉｏｎ． Ｉｆ ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｒａｔｅ ｗａｓ ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ ｂｙ ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ ｔｈｅ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ ａｒｅａ，ｔｈｅ ｌｏｓｓ ｏｆ Ｓｉ，ｔｈｅ ｅｎｅｒｇｙ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ ａｎｄ ｔｈｅ ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅ ｄｉｉｆｃｕｌｔｙ ｏｆ ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｒａｐｉｄｌｙ［１２—１４］．Ａｍｏｎｇ ｔｈｅ ｐｕｒｉｉｆｃａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄｓ ｕｓｅｄ ｉｎ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ｒｅｃｅｎｔｌＮ Ｓｉ ｍｕｓｔ ｂｅ ｍｏｌｔｅｎ ｓｏ ｔｈａｔ ｉｍｐｕｒｉｙｔ ａｔｏｍｓ ｃａｎ ｅａｓｉｌｙ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｗｉｔｈｉｎ Ｓｉ ｍａｔｒｉｘ．Ｌｏｎｇ ｔｉｍｅ ｏｆ ｈｉｇｈ—ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｓ ｉｔｓ ｈｉｇｈｅｒ ｅｎｅｒｇｙ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ，ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ ｆｏｒ ｈｔｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ Ｂ ａｎｄ Ｐ，ａｎｄ ｔｈｅ ｌａｒｇｅｒ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｃｏｅｆｉｆｃｉｅｎｔｓ ｍａｋｅ ｔｈｅｍ ｄｉｆｉｆｃｕｌｔ ｔｏ ｂｅ ｒｅｍｏｖｅｄ ｂｙ ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄｓ．Ｉｎ ｂｒｉｅｆ，ｔｈｅ ｈｉｇｈ．ｅｆｉｆｃｉｅｎｃｙ ｒｅｍｏｖａ１ ｏｆ Ｂ ａｎｄ Ｐ ｉｓ ａｃｔｕａｌｌｙ ｔｈｅ ｋｅｙ ｏｆ ｓａｖｉｎｇ ｅｎｅｒｇｙ，ａｎｄ ｔｈｅ ｌｏｗ—ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ ｈｉｇｈｅｒ ｒｅｍｏｖａｌ ｒａｔｅ ｏｆ Ｂ ａｎｄ Ｐ ａｒｅ ｔｗｏ ｍａｉｎ ａｐｐｒｏａｃｈｅｓ ｏｆ ｌｏｗ．ｃｏｓｔ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ． ＣＨＥＮ ａｎｄ Ｐ ＮＧ『１ ５］ｐｒｏｐｏｓｅｄ ｏｎｅ ｍｅｔｈｏｄ ｔｏ ｒｅｍｏｖｅ Ｂ ｆｒｏｍ ＭＧ—Ｓｉ ｕｎｄｅｒ ｔｈｅ ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ ｏｆ ｖａｐｏｒ／ｎｉｒｔｏｇｅｎ ａｔ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ（９００。ｃ、．Ｓｉｎｃｅ Ｓｉ ｗａｓ ｓｔｉｌｌ ｓｏｌｉｄ ａｔ ｔｈｉｓ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．ｔｈｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｙｔ ａｔｏｍｓ ｉｎｓｉｄｅ Ｓｉ ｐａｒｔｉｃｌｅ ｗａｓ ｔｈｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ｓｔｅｐ ｄｕｒｉｎｇ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ．ａｎｄ ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａ１ ｅｆＨｃｉｅｎｃｙ ｏｆ Ｂ ｗａｓ ｖｅｒｙ ｌｏｗ．Ｙ０ＳＨＩＫ ａｎｄ ＭＯＲＪＴＡ『１ ６１ ｐｒｏｐｏｓｅｄ ｏｎｅ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ａ１－Ｓｉ ａｌｌｏｙｉｎｇ ｔｏ ｐｕｒｉｆｙ ＭＧ—Ｓｉ．Ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ．ＭＧ．Ｓｉ ｆｉｒｓｔｌｙ ｍｅｌｔｅｄ ｉｎｔｏ ｍｅｔａ１ １ｉｑｕｉｄ ａｎｄ ｔｈｅｎ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ ｏｕｔ．Ｈｅｒｅ ｉｔ ｉｓ ｎａｍｅｄ ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ．Ｓｉｎｃｅ Ｓｉ ｃａｎ ｂｅ ｍｅｌｔｅｄ ａｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｆａｒ ｌｏｗｅｒ ｔｈａｎ ｔｈｅ Ｓｉ ｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔ，ｔｈｅ ｍｅｔｈｏｄ ｃａｎ ｍａｋｅ ｅｎｅｒｇｙ．ｓａｖｉｎｇ ｐｏｓｓｉｂｌｅ．Ｔｈｅ ｍｅｔａ１． １ｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ｈａｓ ｅｖｅｒ ｂｅｅｎ ｕｓｅｄ ｔｏ ｐｒｅｐａｒｅ ｔｈｅ ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ．Ｓｉ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｆｏｒ ｓｏｌａｒ ｃｅｌ１．ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｃａｌｌｅｄ ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ（ＬＰＥ）．Ｄｕｒｉｎｇ ＬＰＥ，ｐｏｌｙ－Ｓｉ ｔｈｉｎ ｉｆｌｍ ｇｒｏｗｓ ｓｌｏｗｌｙ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｓａｔｕｒａｔｅｄ ａｌｌｏｙｉｎｇ ｌｉｑｕｉｄ ｏｆ Ｓｉ．Ｍａｎｙ ｍｅｔａｌｓ ｓｕｃｈ ａｓ Ａ１，Ｓｎ ａｎｄ Ｉｎ ｈａｖｅ ｂｅｅｎ ｕｓｅｄ ａｓ ｍｅｄｉｕｍｓ［１７—１９］．Ｃｏｍｍｏｎｌｙ，ｔｈｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｒａｔｅ ｏｆ ｔｈｉｎ ｉｆｌｍ ｉｓ ｖｅｒｙ ｓｌｏｗ ａｎｄ ｒｉｇｏｒｏｕｓ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇｒａｄｉｅｎｔ ｉｓ ｎｅｅｄｅｄ ｓｏ ｔｈａｔ ｃｒｙｓｔａｌｓ ｇｒｏｗ ｐｅｒｆｅｃｔｌｙ ａｎｄ ｆｅｗ ｄｅｆｅｃｔｓ ａｒｅ ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ．Ｌｉｋｅ ｏｔｈｅｒ ｍｅｔａｌｌｒｕｇｉｃａｌ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄｓ． ｍｅｔａｌ－ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ａｌｓｏ ｃｏｕｌｄ ｎｏｔ ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｐｕｒｉｆｙ ＭＧ—Ｓｉ ｔｏ ｍｅｅｔ ｔｈｅ ｄｅｍａｎｄ ｏｆ ＳｏＧ．Ｓｉ．ａｎｄ ｉｔ ｓｔｉｌ１ ｎｅｅｄｓ ｔｏ ｃｏｍｂｉｎｅ ｗｉｔｈ ｏｔｈｅｒ ｍｅｔｈｏｄｓ． 西ｉｌｅ ＹＯＳＨ删 ａｎｄ ＭＯＲＩＴＡ［１ ６］ａｄｏｐｔｅｄ ｍｅｔａｌ—ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ｔｏ ｉｍｐｒｏｖｅ ｚｏｎｅ ｒｅｆｉｎｉｎｇ ｏｆ Ｓｉ．ｍｏｒｅ ｄｅｔａｉｌｓ ｓｕｃｈ ａｓ ｔｈｅ ｌｉｎｋ ｗｉｔｈ ｏｔｈｅｒ ｍｅｔｈｏｄ ｗｅｒｅ ｎｏｔ ｓｔａｔｅｄ ａｎｄ ｔｈｅ ｐｒｏｐｏｓｅｄ ｐｒｏｃｅｓｓ ｗａｓ ｎｏｔ ｆｉｔ ｆｏｒ ｌａｒｇｅ．ｓｃａｌｅ ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ． Ｉｎ ｔｈｉｓ ｓｔｕｄｙ，ｔｈｅ ｍｅｔａｌ－ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ｕｓｉｎｇ Ｓｎ．Ｓｉ ｓｙｓｔｅｍ ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ ｔｈｅ ｃｈｏｉｃｅ ｏｆ ｍｅｄｉｕｍ．ｔｈｅ ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ ｏｆ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ，ｔｈｅ ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｍｅｔａｌ ａｎｄ ｔｈｅ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ｏｔｈｅｒ ｍｅｔｈｏｄｓ ｗａｓ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ． Ｆｉｎａｌｌｙ，ｏｎｅ ｌｏｗ—ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ｂａｓｅｄ ｏｎ ｍｅｔａｌ。ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｗａｓ ｐｒｏｐｏｓｅｄ． ２ Ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ ｏｆ ｍｅｔａｌ—ｌｉｑｕａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ Ｉｆ ｓｏｌｉｄ—ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｉｎｓｉｄｅ Ｓｉ ｃｏｕｌｄ ｅａｓｉｌｙ ｔｒａｎｓｆｅｒ ａｎｄ ｃｏｕｌｄ ｂｅ ｒａｐｉｄｌｙ ｒｅｍｏｖｅｄ ｕｎｄｅｒ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ。ＭＧ—Ｓｉ ｍｕｓｔ ｂｅ ｆｉｒｓｔｌｙ ｍｅｌｔｅｄ．Ｔｈｉｓ ｃａｎ ｂｅ ｒｅａｌｉｚｅｄ ｊｕｓｔ ｂｙ ｍｅｔａｌ—ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ．ｗｈｅｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｉｓ ａｌｌｏｙｅｄ ｗｉｔｈ ｍｅｔａ１．ｏｒ ｓａｙ Ｓｉ ｉｓ ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ ｉｎｔｏ ｔｈｅ ｍｏｌｔｅｎ ｍｅｔａ１．ＭＧ．Ｓｉ ｃｏｕｌｄ ｍｅｌｔ ｄｏｗｎ ａｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｅｖｅｎ ｍｕｃｈ ｌｏｗｅｒ ｔｈａｎ Ｓｉ ｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔ．Ａｓ ｔｈｅ ａｌｌｏｙ ｌｉｑｕｉｄ ｉｓ ｃｏｏｌｅｄ．Ｓｉ ｃｏｕｌｄ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｒｅｍａｉｎ ｉｎｓｉｄｅ ｔｈｅ ｍｅｔａｌ ｌｉｑｕｉｄ．Ｔｈｅ ｍｅｔａｌ－ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｉｓ ａｌｓｏ ｔｈｅ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉ ｆｒｏｍ ｍｅｔａｌ ｌｉｑｕｉｄ．Ｔｈｅ ｍｅｔａ１ ｕｓｅｄ ｃａｎ ｂｅ ｒｅｇａｒｄｅｄ ａｓ ｔｈｅ ｍｅｄｉｕｍ ｆｏｒ ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ． Ｔｈｅ ｋｅｙｓ ｏｆ ｔｈｅ ｍｅｔｈｏｄ ａｒｅ ｔｏ ｍｅｌｔ Ｓｉ ｕｎｄｅｒ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ ｔｏ ｐｕｒｉｆｙ Ｓｉ ｔｈｒｏｕｇｈ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ． Ｔｈｅ ｐｕｒｐｏｓｅ ｏｆ ｔｈｅ ｍｅｔｈｏｄ ｉｓ ｔｏ ａｃｈｉｅｖｅ ｔｈｅ ｅｎｅｒｇｙ－ｓａｖｉｎｇ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ＭＧ－Ｓｉ ｕｎｄｅｒ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．Ｔｈｏｕｇｈ ｍａｎｙ ｋｉｎｄｓ ｏｆ ｍｅｔａｌｓ ｃａｎ ｄｉｓｓｏｌｖｅ Ｓｉ ａｔ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．ｏｎｌｙ ａ ｆｅｗ ａｒｅ ｔｈｅ ｃｏｍｐｅｔｅｎｔ ｌｉｑｕａｔｉｏｎ ｍｅｄｉｕｍ．Ｔｈｅ ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ ｃｒｉｔｅｒｉａ ｏｆ ｍｅｄｉａ ａｒｅ ｌｉｓｔｅｄ ｂｅｌｏｗ： １、Ｎｏ ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｇｅｎｅｒａｔｅｄ．Ｔｈｅ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｂｅｔｗｅｅｎ ｍｅｄｉｕｍ ａｎｄ Ｓｉ ｗｏｕｌｄ ｒｅｓｕｌｔ ｉｎ ｓｅｒｉＰＵＳ ｅｎｔｒａｉｎｍｅｎｔ ｏｆ ｔｈｅ ｍｅｔａ１．Ｆｕｒｔｈｅｒ，ｉｔ ｉｓ ｄｉｆｆｉｃｕｌｔ ｆｏｒ ｔｈｅ １ａｔｔｅｒ ｐｒｏｃｅｓｓ ｔｏ ｓｅｐａｒａｔｅ ｍｅｄｉｍｕ，ａｎｄ ｔｈｅ ｌｏｓｓ ｏｆ ｍｅｄｉｕｍ ｗｏｕｌｄ ａｌｓｏ ｂｅ ｓｅｒｉｏｕｓ． ２、Ｌｏｗ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉ ａｔ ｅｕｔｅｃｔｉｃ ｐｏｉｎｔ ａｎｄ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｆ ｅｕｔｅｃｔｉｃ ｐｏｉｎｔ．Ａｔ ｅｕｔｅｃｔｉｃ ｐｏｉｎｔ，Ｓｉ ｗｏｕｌｄ ｃｏ．ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅ ｗｉｔｈ ｍｅｔａ１．Ｔｈｅ ｅｕｔｅｃｔｉｃｓ ａｒｅ ｃｏｍｍｏｎｌｙ ｂｉｎａｒｙ ａｌｌｏｙ ａｎｄ ｈａｖｅ ｕｎｉｆｏｒｍ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｆｏｒ Ｓｉ．ｍｅｔａ１ ｓｙｓｔｅｍｓ．Ｉｔ ｉｓ ｄｉｆｉｆｃｕｌｔ ｔｏ ｓｅｐａｒａｔｅ ｔｈｅｍ ａｎｄ ｔｈｅ ｌｏｓｓ ｏｆ Ｓｉ ｉｓ ｓｅｒｉｏｕｓ．Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ，ａｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｈｉｇｈｅｒ ｔｈａｎ ｔｈｅ ｅｕｔｅｃｔｉｃ ｐｏｉｎｔ，ｐｌｅｎｔｙ ｏｆ Ｓｉ ｗｏｕｌｄ ｄｉｓｓｏｌｖｅ ｉｎｔｏ ｍｅｔａ１ ｌｉｑｕｉｄ．Ｓｏ ｔｈｅ ｌｏｗｅｒ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｏｆ ｅｕｔｅｃｔｉｃ ｐｏｉｎｔ ｉｓ，ｔｈｅ ｍｏｒｅ ｐｏｓｓｉｂｌｅ ｔｈｅ ｅｎｅｒｇｙ—ｓａｖｉｎｇ ｏｆ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ ｗｏｕｌｄ ｂｅ． ３）Ｓｍａｌｌ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｃｏｅｆｉｆｃｉｅｎｔ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｂｅｔｗｅｅｎ Ｓｉ ａｎｄ ｍｅｔａ１．Ｗｈｅｎ Ｓｉ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｓ ｆｒｏｍ ｍｅｄｉｕｍ．ｔｈｅ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｗｏｕｌｄ ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅ ｂｅｔｗｅｅｎ Ｓｉ ｃｒｙｓｔａｌ ａｎｄ ｍｅｔａｌ ｌｉｑｕｉｄ．Ｌｏｗ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｃｏｅｆｉｆｃｉｅｎｔ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｃａｎ ｅｎｓｕｒｅ ｔｈｅ ｈｉｇｈ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｅｆｉｆｃｉｅｎｃｙ． Ｉ／ ： 霉Ｑ（１ｇ０ ＺＨＡＯ Ｌｉ—ｘｉｎ，ｅｔ ａｌ／Ｔｒａｎｓ．Ｎｏｎｆｅｒｒｏｕｓ Ｍｅｔ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｎａ ２１（２０１１）１１８５—１１９２ １１８９ ｐｒｏｃｅｓｓ．ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｗｏｕｌｄ ｒｅｍａｉｎ ｉｎ ｔｈｅ ｌｉｑｕｉｄ ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｃｏｅｆｉｆｃｉｅｎｔ．Ｔｈｅ ｇｏｏｄ ｆｌｕｉｄｉｔｙ ｏｆ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｌｉｑｕｉｄ ｉｓ ｂｅｎｅｆｉｃｉａｌ ｆｏｒ ｔｈｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｙｔ．Ｂｅｃａｕｓｅ ｈｔｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｉｓ ｍｕｃｈ ｌｏｗｅｒ ｄｕｒｉｎｇ ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ． ｍｏｓｔ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｔｏｇｅｔｈｅｒ ｗｉｔｈ Ｓｉ ｃａｎ ｆｏｒｍ ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，ｗｈｉｃｈ ｃａｎ ｂｅ ｒｅｍｏｖｅｄ ｂｅｆｏｒｅ ｔｈｅ ａｌｌｏｙｉｎｇ ｌｉｑｕｉｄ ｗａｓ ｃｏｏｌｅｄ．Ｆｉｇｕｒｅ ４ ｓｈｏｗｓ ｔｈｅ ｐｈａｓｅ ｄｉａｇｒａｍ Ｏｆ Ｆｅ．Ｓｉ ｓｙｓｔｅｍ．Ｔｈｅ ａｒｒｏｗ ｉｎ ｔｈｅ ｄｉａｇｒａｍ ｐｏｉｎｔｓ ｏｕｔ ｔｈａｔ Ｆｅ ｃａｎ ｆｏｒｍ Ｆｅ Ｓｉ７ ｗｉｔｈ Ｓｉ ａｔ １ ３００。Ｃ． Ｔｈｅ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ｉｎｃｌｕｓｉｏｎ ｐｒｏｖｉｄｅｓ ｅｖｉｄｅｎｃｅ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｆｏｒｍｓ ｉｎ ａｄｖａｎｃｅ．ａｎｄ ｔｈｅｎ ａｔｔａｃｈｅｓ ｔｏ ｔｈｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｏｆ Ｓｉ ｃｒｙｓｔａｌ ａｓ Ｓｉ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｓ ｏｕｔ（Ｆｉｇ．３Ｃｏ））． ９＿０ ，ｓ０一 ．１Ｔ１（Ｉ旨一 ０ Ｉ１０一＝ｌ譬毒∞∞对 Ｆｉｇ．４ Ｐｈａｓｅ ｄｉａｇｒａｍ ｏｆ Ｆｅ—Ｓｉ ｓｙｓｔｅｍ Ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ ｔｈｅ ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ｆｉｒｓｔ ｒａｐｉｄｌｙ ｒｅｄｕｃｅｓ ｈｔｅ ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｉｎ ｔｈｅ ｌｉｑｕｉｄ．Ｌａｔｅｒ，ｗｈｅｎ Ｓｉ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｓ ｏｕｔ．ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｅ师ｃｉｅｎｃｙ ｗｏｕｌｄ ｆｕｒｔｈｅｒ ｉｎｃｒｅａｓｅ．Ｔｈｉｓ ｖｉｅｗ ｐｏｉｎｔ ｉｓ ｓｉｍｉｌａｒ ｗｉｔｈ ｔｈａｔ ｐｒｏｐｏｓｅｄ ｂｙ Ｙ０ＳＨＩＫＡＷＡ『１ ６１．Ｉｎ ｈｉｓ ｒｅｓｅａｒｃｈ，ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｍｏｄｅ ｏｆ Ｂ ｗａｓ ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ．Ｈｅ ｐｒｏｐｏｓｅｄ ｔｈａｔ Ｂ ｆｏｒｍｅｄ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｔｏｇｅｔｈｅｒ ｗｉｔｌｌ Ｔｉ．ｗｈｉｃｈ ｌｒａｇｅｌｙ ｂｏｏｓｔｅｄ ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｅｆｎｃｉｅｎｃｙ ｏｆ Ｂ．Ｈｏｗｅｖｅｒ，ｔｈｅ ｍａｓｓ ｆｒａｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｂ ｉｎ ＭＧ—Ｓｉ ｗａｓ ｌｏｗ，ｃｏｍｍｏｎｌｙ ｌｅｓｓ ｔｈａｎ ６０ｘ１Ｏ一．Ｉｎ ｏｕｒ ｓｔｕｄｙ，ｎｏ ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｏｆ ＴｉＢ ｗａｓ ｄｅｔｅｃｔｅｄ． ３．３ Ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｅｆｉｆｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ｍｅｔａｌ－ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ １．５ ｇ ＭＧ—Ｓｉ ｗａｓ ｍｉｘｅｄ ｔｏｇｅｔｈｅｒ ｗｉｔｈ ２３．５ ｇ ｔｉｎ （ｐｕｒｉｔｙ ９９．９％１ ｉｎ ｇｒａｐｈｉｔｅ ｃｒｕｃｉｂｌｅ．Ｔｈｅ ｍｉｘｔｕｒｅ ｗａｓ ｍｅｌｔｅｄ ｎｕｄｅｒ ｔｈｅ ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ ｏｆａｒｇｏｎ ａｔ １ ２００。Ｃ ｆｏｒ １ ｈ． Ｔｈｅｎ ｔｈｅ ｍｅｌｔ ｗａｓ ｃｏｏｌｅｄ ｔｏ ６００。Ｃ ａｔ ａ ｃｏｏｌｉｎｇ ｒａｔｅ ｏｆ ３．５。Ｃ／ｍｉｎ．Ｔｈｅ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ Ｓｉ ｗａｓ ｓｅｐａｒａｔｅｄ ｏｕｔ ｂｙ ｉｆｌｔｒａｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ｈｔｅ ｑｕａｒｔｚ ｆｉｌｔｅｒ．Ｔｈｅ Ｓｉ ｃｒｙｓｔａｌ ｗａｓ ｌｅａｃｈｅｄ ｂｙ ａｑｕａ ｒｅｇｉａ ｔｏ ｒｅｍｏｖｅ ｔｈｅ ａｔｔａｃｈｅｄ ｔｉｎ，ａｎｄ ｔｈｅｎ ｗａｓ ａｎａｌｙｚｅｄ ｂｙ ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ—ａｔｏｍｉｃ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ（ＩＣＰ—ＡＥＳ）． Ｆｉｇｕｒｅ ５ ｓｈｏｗｓ ｔｈｅ ｃｏｎｃｅｎ仃ａｔｉｏｎ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｙｔ ｏｆ ＭＧ—Ｓｉ ｂｅｆｏｒｅ ａｎｄ ａｆｔｅｒ Ｓｎ—Ｓｉ ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ ｆｏｒ ｏｎｃｅ ｎａｄ ｔｗｉｃｅ．Ｃｏｍｍｅｒｃｉａｌ ＭＧ．Ｓｉ ｗａｓ ｕｓｅｄ，ａｎｄ ｉｔｓ 仃ａｄｅｍａｒｋ ｗａｓ １ １０１．Ｔｈｅ ｍａｉｎ ｉｍｐｕｆｉｔｉｅｓ ｏｆ ＭＧ．Ｓｉ ａｎｄ ｔｈｅｉｒ ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ｍａｓｓ ｆｒａｃｔｉｏｎ（１０＿。）ｗｅｒｅ ｌｉｓｔｅｄ ａｓ： Ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｅｌｅｍｅｎｔ Ｆｉｇ．５ Ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｏｆ ＭＧ－Ｓｉ ｂｅｆｏｒｅ ａｎｄ ａｆｔｅｒ Ｓｎ—Ｓｉ ｍｅｔａｌ—ｌｉｑｕａｔｉｎｇ Ｆｅ １２３８，Ａｌ １０５４，Ｂ １５．４，Ｔｉ １９５，Ｐ ２２３，Ｖ １５５ ａｎｄ Ｍｎ １ｌ４． Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔ ｕｔｒｎｓ ｏｕｔ ｔｈａｔ山ｅ ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ ｏｆ Ｓｎ．Ｓｉ ｈａｓ ａ ｈｉｇｈ ｒｅｍｏｖａｌ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｆｏｒ ｔｈｅ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ． ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ ｆｏｒ Ｃｕ，Ｎｉ ａｎｄ ｕｐ ｔｏ ９９．９％，ｗｉｈｔ ｔｈｅ ｍａｓｓ ｆｒａｃｔｉｏｎ ｏｆ ｌｅｓｓ ｔｈａｎ ０．１×１０一ｒｅｍａｉｎｅｄ．Ｆｏｒ Ｆｅ ａｎｄ Ａｌ ｗｈｉｃｈ ａｒｅ ａｌｗａｙｓ ｔｈｅ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｗｉｔｈ ｈｉｇｈ ｃｏｎｔｅｎｔ，ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｅｆｆｌｃｉｅｎｃｙ ｒｅａｃｈｅｄ ｕｐ ｔｏ ９９％．Ｆｏｒ Ｃｒ，Ｍｎ ａｎｄ Ｔｉ ｅｔｃ，ｔｈｅ ｔｗｉｃｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｅｍｃｉｅｎｃｙ ｒｅａｃｈｅｄ ｕＤ ｔＯ ９９．９％． Ｈｏｗｅｖｅｒ，ｆｏｒ ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ．ｉｔ ｉｓ ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｅｆ右ｃｉｅｎｃｙ ｏｆ Ｂ ａｎｄ Ｐ ｔｈａｔ ｉｓ ｒｅａｌｌｙ ｃｏｎｃｅｍｅｄ．Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔ ｓｈｏｗｓ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｏｎｃｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｅ街ｃｉｅｎｃｙ ｏｆ Ｂ ｒｅａｃｈｅｓ ８５％． ａｎｄ ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａＩ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ｗｔｉｃｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｉｓ ｍｏｒｅ ｔｈａｎ ９９．９％．ａｎｄ ｔｈｅ ｍａｓｓ ｆｒａｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｂ ｄｅｃｒｅａｓｅｓ ｆｒｏｍ １５．４ｘ１０－ｏ ｔｏ ｌｅｓｓ ｔｈａｎ ０．１×１０一．Ｆｏｒ ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｅｆｉｆｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ｏｎｃｅ．１ｉｑｕａｔｉｎｇ．ｔｒｅａｔｍｅｎｔ ｉｓ ａｂｏｕｔ ６０％．ａｎｄ ｔｈｅ ｔｗｉｃｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｅ ｃｉｅｎｃｙ ｒｅａｃｈｅｓ ｕＤ ｔＯ ８５％． Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔ ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅｓ ｔｈａｔ ｉｔ ｉｓ ｆｅａｓｉｂｌｅ ｆｏｒ Ｓｎ ａｓ ｔｈｅ ｍｅｄｉｕｍ ｔｏ ｒａｐｉｄｌｙ ｒｅｍｏｖｅ Ｂ ａｎｄ Ｐ ｖｉａ ｍｅｔａｌ－ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ．Ｉｎ ｔｈｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ，ｔｈｅ ｃｏｏｌｉｎｇ ｒａｔｅ ｉｓ ３．５。Ｃ／ｍｉｎ．ａｎｄ ａｌｍｏｓｔ ａｌ１ Ｓｉ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｓ ｏｕｔ ａｔ ８５０。Ｃ ｆｏｒ Ｓｎ．Ｓｉ ｓｙｓｔｅｍ．Ｔｈｅ ｔｉｍｅ ｆｏｒ Ｓｉ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｉｓ ｏｎｌｙ ２ ｈ．Ｅｖｅｎ ｓｏ．ｔｈｅ ｏｎｃｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｅｍｃｉｅｎｃｙ ｏｆ Ｂ ｎａｄ Ｐ ｒｅａｃｈｅｓ ８５％ａｎｄ ６０％．ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｂｙ ｃｏｎｔｒａｓｔ． ｔｈｅ ｍａｘｉｍａｌ ｏｐｅｒａｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｉｓ ｏｎｌｙ １ ２００。Ｃ． ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｍｕｃｈ ｌｏｗｅｒ ｔｈａｎ ｔｈａｔ ｏｆ ｏｔｈｅｒ ｍｅｔｈｏｄｓ，ｓｕｃｈ ａｓ ｐｌａｓｍａ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ，ｓｌａｇｇｉｎｇ ｒｅｆｉｎｉｎｇ ａｎｄ ｖａｃｕｕｍ ｒｅｆｉｎｉｎｇ， ｅｔｃ． ４ Ｐｒｏｂｌｅｍｓ ｌｉｎｋｅｄ ｔｏ ｍｅｔａｌ－ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ Ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ｈａｓ ｔｈｅ ｈｉｇｈ ｒｅｍｏｖａｌ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｉｎ ＭＧ．Ｓｉ．Ｂｕｔ ａｂｏｖｅ ａｌ１． ｈｔｅ ｒａｐｉｄｌｙ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ Ｂ ａｎｄ Ｐ ｕｎｄｅｒ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍａｋｅｓ ｔｈｅ ｍｅｔｈｏｄ ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ．Ｈｏｗｅｖｅｒ，ｔｗｏ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ｐｒｏｂｌｅｍｓ ｍｕｓｔ ｂｅ ａｄｄｒｅｓｓｅｄ，ｗｈｉｃｈ ａｒｅ ｔｈｅ ｓｏｌｉｄ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ ｍｅｄｉｕｍ ａｎｄ ｔｈｅ ｒｅｃｏｖｅｒｙ ｏｆ ｗａｓｔｅ １１９０ ｍｅｔａ１． ＺＨＡＯ Ｌｉ－ｘｉｎ，ｅｔ ａｌ／Ｔｒａｎｓ．Ｎｏｎｆｅｒｒｏｕｓ Ｍｅｔ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｎａ ２１（２０１１）１１８５—１１９２ ｉｎ ＳｏＧ．Ｓｉ．Ｔｈｅｒｅｆｏｒｅ．ｏｔｈｅｒ ｍｅｔｈｏｄｓ ｍｕｓｔ ｂｅ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ ｔｏ ｃｏｍｂｉｎｅ ｗｉｔｈ ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ．ｓｏ ｔｈａｔ ＳｏＧ．Ｓｉ ｉｓ ｇａｉｎｅｄ ｆｉｎａｌｌｙ ａｎｄ ｔｈｅ ｔｏｔａｌ ｃｏｓｔ ｉｓ ｒｅｄｕｃｅｄ ｆｕｒｔｈｅｒ． Ｆｉｒｓｔｌｙ，ａｃｉｄ ｌｅａｃｈｉｎｇ ｓｈｏｕｌｄ ｂｅ ｉｎ仃ｏｄｕｃｅｄ ａｓ ｔｈｅ Ｔｈｅ ｓｏｌｉｄ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ ｍｅｄｉｕｍ ｉｓ ｔｈｅ ｓｅｒｉｏｕｓ ｐｒｏｂｌｅｍ ｉｒｓｔｌｙ．Ｉｎ ｔｈｅ Ｓｉ－ｒｆｉｃｈ ｓｉｄｅ ｏｆ ｐｈａｓｅ ｄｉａｇｒａｍｓ，ｅｉｔｈｅｒ ｗｉｔｈｉｎ Ａ１－Ｓｉ ｓｙｓｔｅｍ ｏｒ Ｓｎ－Ｓｉ ｓｙｓｔｅｍ［２１，２３１，ｔｈｅｒｅ ａｒｅ ａｌｗａｙｓ ａ ｆｅｗ Ｓｎ ｏｒ Ａ１ ｅｘｉｓｔｉｎｇ ｉｎｓｉｄｅ ｔｈｅ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ Ｓｉ． Ｆｏｒ Ａ１．Ｓｉ ｓｙｓｔｅｍ．ｔｈｅ ｍａｘｉｍａｌ ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｆ Ａｌｉｎ Ｓｉ ｃｒｙｓｔａｌ ｐｒｅｔｒｅａｔｍｅｎｔ ｉｎ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ．ＭＧ—Ｓｉ ｃｏｎｔａｉｎｓ ｐｌｅｎｔｙ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ．ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ Ｆｅ ａｎｄ Ａｌ ｗｉｔｈ ｍａｓｓ ｆｒａｃｔｉｏｎ ｏｆ ｍｏｒｅ ｔｈａｎ １ Ｏ００ｘ １０一．ｗｈｉｃｈ ｓｏｍｅｔｉｍｅｓ ｅｖｅｎ ｒｅａｃｈｅｓ ４ ０００￣１０一．Ａｃｉｄ ｌｅａｃｈｉｎｇ ｃａｎ ｒｅｍｏｖｅ ａｌｍｏｓｔ ９５％ｏｆ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ．ｔｈｏｕｇｈ ｉｔ ｉｓ ｉｎｅｆｉｅｃｔｉｖｅ ｆｏｒ Ｂ ａｎｄ Ｒ Ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｍｅｔａｌ—ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ， ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｉｓ １．２％：ａｎｄ ｆｏｒ Ｓｎ．Ｓｉ ｓｙｓｔｅｍ．ｔｈｅ ｍａｘｉｍａｌ ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｆ Ｓｎ ｉｎ Ｓｉ ｉｓ ０．４２％．Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｍｅｔａｌ ａｔｔａｃｈｅｄ ｔｏ ｔｈｅ ｓｕｒｆａｃｅ，ｔｈｉｓ ｐａｒｔ ｏｆ Ｓｎ ｃａｎｎｏｔ ｂｅ ｒｅｍｏｖｅｄ ｂｙ ａｃｉｄ ｌｅａｃｈｉｎｇ．Ｓｏ，ａｆｔｅｒ ｍｏｓｔ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ａｒｅ ｒｅｍｏｖｅｄ，ｔｈｅ ｎｅｗｌｙ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ ｍｅｄｉｕｍ ｉｓ ａ ｐｒｏｂｌｅｍ ｎｅｅｄｅｄ ｔｏ ｂｅ ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅ ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｃｏｅｆｉｃｉｅｎｔ．Ｔｈｅ ｆｓｏｌｖｅｄ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｆｏｌｌｏｗｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ，ａｎｄ ｔｈｅ ｄｉｆｉｆｃｕｌｔｙ ｌｅｖｅｌ ｏｆ ｗｈｉｃｈ ａｌｓｏ ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｓ ｔｈｅ ｐｒｏｓｐｅｃｔ ｏｆ ｔｈｅ ｍｅｔｈｏｄ． Ｆｏｒｍｅｒ ｒｅｓｅａｒｃｈｅｓ ｓｈｏｗｅｄ ｔｈａｔ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｃａｎ ｂｅ ｅａｓｉｌｙ ｒｅｍｏｖｅｄ ｆｒｏｍ ＭＧ－Ｓｉ．ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ ｂｙ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ．Ｌｉｋｅ ｏｔｈｅｒ ｍｅｔａｌｓ，ｔｈｅ ｓｏｌｉｄ— ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ ｍｅｄｉｕｍ ｃａｎ ｂｅ ｅａｓｉｌｙ ｒｅｍｏｖｅｄ．Ｆｏｒ ｅｘａｍｐｌｅ， ａｓ ｔｈｅ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ Ｓｉ ｉｓ ｃａｓｔ ａｇａｉｎ，Ｓｎ ｗｏｕｌｄ ｓｅｇｒｅｇａｔｅ ａｔ ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ ｌｉｋｅ ｏｔｈｅｒ ｍｅｔａｌ，ｗｈｉｃｈ ｃａｎ ｂｅ ｒｅｍｏｖｅｄ ｂｙ ａｃｉｄ １ｃａｃｈｉｎｇ．Ａｂｏｖｅ ａｌｌ－ｉｆ Ｂ ａｎｄ Ｐ ｃａｎ ｂｅ ｒａｐｉｄｌｙ ａｎｄ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙ ｒｅｍｏｖｅｄ ａｔ ｌｏｗｅｒ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ，ｔｈｅ ｔｏｔａｌ ｅｎｅｒｇｙ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｗｏｕｌｄ ａｌｓｏ ｂｅ ｌｏｗ． Ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｍｅｔａｌ ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ， Ｓｉ ｉｓ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ ａｎｄ ｓｅｐａｒａｔｅｄ ｆｒｏｍ ｍｅｔａｌ ｌｉｑｕｉｄ．Ａｔｉｅｒ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ．ｔｈｅ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｏｆ ＭＧ．Ｓｉ ｒｅｍａｉｎ ｉｎ ｍｅｔａｌｌｉｃ １ｉｑｕｉｄ．Ｓｉｎｃｅ ｔｈｅ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅ ｂｅｔｗｅｅｎ ｍｅｄｉｕｍ ａｎｄ Ｓｉ，ｔｈｅ ｍｅｄｉｍｕ ｍｕｓｔ ｂｅ ｔｈｅ ｈｉｇｈ ｐｕｒｅ ｍｅｔａ１．Ｔｈｅ ｕｓａｇｅ ｏｆ ｈｉｇｈ ｐｕｒｅ ｍｅｔａｌ ｍｕｓｔ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｔｈｅ ｃｏｓｔ，ｓｏ ｔｈｅ ｒｅｃｏｖｅｒｙ ｏｆ ｔｈｅ ｗａｓｔｅ ｍｅｔａ１ ｉｓ ａｎｏｔｈｅｒ ｐｒｏｂｌｅｍ． Ｃｏｍｐａｒｅｄ ｗｉｔｈ Ｓｉ，ｍｅｔａｌｓ ｃｏｍｍｏｎｌｙ ｈａｖｅ ｌｏｗｅｒ ｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔ ａｎｄ ｃｏｕｌｄ ｂｅ ｅａｓｉｌｙ ｐｕｒｉｆｉｅｄ．Ｔｈｅ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ，ｏｒ ｓａｙ ｚｏｎｅ ｒｅｆｉｎｉｎｇ ｉｓ ｔｈｅ ｐｅｒｆｅｃｔ ｍｅａｎｓ， ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ ｆｏｒ Ｓｎ，ｔｈｅ ｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔ ｏｆ ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｏｎｌｙ ２３ １。Ｃ．Ｔｈｅ ｐｕｒｉｔｙ ｏｆ ｔｉｎ ｕｓｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ ｉｓ ９９．９％．ｗｈｉｃｈ ｃａｎ ｂｅ ｅａｓｉｌｙ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｉｎ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｉｎｄｕｓｔｒｙ．Ｔｈｅ ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｆＢ ａｎｄ Ｐ ｉｎ Ｓｎ ｉｓ ｔｈｅ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ｉｎｄｅｘ ｃｏｎｃｅｍｅｄ．Ｉｎ ｏｕｒ ｐａｓｔ ｓｔｕｄｉｅｓ，ｔｈｅ ｓｕｐｅｒ－ｇｒａｖｉｙｔ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｗａｓ ｕｓｅｄ ｔｏ ｒａｐｉｄｌｙ ｓｅｐａｒａｔｅ ｔｒａｃｅ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｉｎ ｍｅｔａ１．Ｔｈｅ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ ｃａｎ ｂｅ ｕｓｅｄ ｔｏ ｒｅｃｏｖｅｒ ｈｔｅ ｗａｓｔｅｄ Ｓｎ［２４］．Ｔｈｅ ｒｅｃｏｖｅｒｙ ｏｆ ｈｔｅ ｗａｓｔｅ Ｓｎ ｃａｎ ｒｅｄｕｃｅ ｈｔｅ ｃｏｓｔ ｏｆ ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ． ５ Ｌｏｗ—ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ＭＧ－Ｓｉ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ａ１ｔｈｏｕｇｈ ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ｈａｓ ｔｈｅ ｈｉｇｈ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｅ币ｃｉｅｎｃｙ，ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ ｆｏｒ ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ Ｂ ａｎｄ Ｐ ｉｎ ＭＧ—Ｓｉ，ｔｈｅ ｐｕｒｉｙｔ ｏｆ Ｓｉ ｓｉｔｌｌ ｃａｎ ｎｏｔ ｍｅｅｔ ｔｈｅ ｄｅｍａｎｄ Ｏｆ ＳＯＧ．Ｓｉ．Ｆｏｒ ｅｘａｍｐｌｅ．ｔｈｅ ｍａｓｓ ｆｒａｃｔｉｏｎ ｏｆ ｍｏｓｔ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｉｓ ｎｅａｒ ０．１ｘ１０一．ｂｕｔ ｓｔｉｌ１ ｈｉｇｈｅｒ ｔｈａｎ ０．１ ｘ １ ０。。ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｄｅｍａｎｄｅｄ ｆｏｒ ｔｏｔａｌ ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｆ ｍｅｔａｌｓ １ｅｓｓ ｔｈｅ ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｉｎｓｉｄｅ Ｓｎ．Ｓｉ ｓｙｓｔｅｍ ｉｓ．ｔｈｅ ｈｉｇｈｅｒ ｔｈｅ ｐｕｒｉｙｔ ｏｆ ｔｈｅ ｐｕｒｉｉｆｅｄ Ｓｉ ｉｓ．Ｍｏｒｅｏｖｅｒ，ａｆｔｅｒ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ，ｍｏｓｔ ｏｆ ｔｈｅ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ａｒｅ ｔｒａｎｓｆｅｒｒｅｄ ｉｎｔｏ ｔｈｅ ｗａｓｔｅｄ ｍｅｔａ１．Ｔｈｅ ｈｉｇｈ ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｗｏｕｌｄ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｔｈｅ ｒｅｃｏｖｅｒｙ ｃｏｓｔ ｏｆ ｍｅｔａ１．Ａｃｉｄ ｌｅａｃｈｉｎｇ ｂｅｌｏｎｇｓ ｔｏ ｈｙｄｒｏｍｅｔａｌｔｕｒｇｙ，ａｎｄ ｉｔｓ ｅｎｅｒｇｙ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ ｉｓ １ｏｗ．Ｕｓｉｎｇ ａｃｉｄ．１ｅａｃｈｉｎｇ ａｓ ｐｒｅｔｒｅａｔｍｅｎｔ ｔｏ ｒｅｍｏｖｅ ｍｏｓｔ ｏｆ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｃａｎ ｒｅｌｉｅｖｅ ｔｈｅ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｏｆ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｉｎ ｔｈｅ ｆｏｌｌｏｗｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ． Ｓｅｃｏｎｄｌｙ，ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｓｏｌｉｄｉｉｔｃａｔｉｏｎ ｓｈｏｕｌｄ ｂｅ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ ａｓ ｔｈｅ ｌａｓｔ ｐａｒｔ ｏｆ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ．Ａｓ Ｓｉ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｓ ｆｒｏｍ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｌｉｑｕｉｄ．ｔｒａｃｅ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ ｍｅｔａｌ ｗｏｕｌｄ ｓｏｌｉｄ．ｄｉｓｓｏｌｖｅ ｉｎｓｉｄｅ Ｓｉ ｃｒｙｓｔａｌ ｉｎｅｖｉｔａｂｌＶ． ０ｔｈｅｒｗｉｓｅ．ｔｈｅ ｔｒａｃｅ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｓｔｉｌｌ ｒｅｍａｉｎｓ ｉｎ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ Ｓｉ ａｆｔｅｒ ｔｈｅ ｍｅｔａｌ—ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｐｕｒｉｉｆｃａｔｉｏｎ．Ｆｏｒ ｅｘａｍｐｌｅ，ｔｈｅ ｒｅｍｎａｎｔｓ ｏｆ ｍｏｓｔ ｍｅｔａｌｓ ａｒｅ ｎｅａｒ ０．１ ｘ １ ０一．ｗｈｉｌｅ ｔｈｅ ｒｅｍａｉｎｅｄ ｍａｓｓ ｆｒａｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｆｅ ａｎｄ Ａｌ ｃａｎ ｒｅａｃｈ ５ ｘ １ ０＿。’．Ｔｈｅｓｅ ｒｅｍａｉｎｅｄ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｎｅｅｄ ｔｏ ｂｅ ｒｅｍｏｖｅｄ ｆｕｒｔｈｅｒ．Ａｍｏｎｇ ｔｈｅ ｓｔｕｄｉｅｓ ａｂｏｕｔ ｍｅｔａｌｌｒｕｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ．ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｉｓ ｒｅｇａｒｄｅｄ ａｓ ｔｈｅ ｌａｓｔ ｐａｒｔ ｏｆ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ．Ｉｎ ｏｕｒ ｐｒｏｃｅｓｓ， ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａ１ ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｉｓ ｓｔｉｌｌ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ ａｓ ｔｈｅ ｌａｓｔ Ｄａｒｔ Ｏｆ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｔｏ ｒｅｍｏｖｅ ｔｈｅ ｔｒａｃｅ ａｍｏｕｎｔ ｏｆ ｒｅｍａｉｎｅｄ ｍｅｔａｌｓ． Ｂａｓｅｄ ｏｎ ｔｈｅ ａｂｏｖｅ ａｎａｌｙｓｉｓ．ａ ｌｏｗ．ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ＭＧ—Ｓｉ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｉｓ ｐｒｏｐｏｓｅｄ． Ｆｉｇｕｒｅ ６ ｓｈｏｗｓ ｔｈｅ ｆｌｏｗ ｓｈｅｅｔ ｏｆ ｔｈｅ １ｏｗ．ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａ１ ｐｒｏｃｅｓｓ．Ｔｈｅ ｗｈｏｌｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｃａｎ ｂｅ ｄｉｖｉｄｅｄ ｉｎｔｏ ｔｈｒｅｅ ｐａｒｔｓ：ｐｒｅｔｒｅａｔｍｅｎｔ，ｍｅｔａｌ—ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ａｎｄ ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ．Ｗｉｔｈｉｎ ｐｒｅｔｒｅａｔｍｅｎｔ．ＭＧ．Ｓｉ ｉｓ ｃｒａｓｈｅｄ ａｎｄ ａｃｉｄ—ｌｅａｃｈｅｄ ｔｏ ｒｅｍｏｖｅ ｍｏｓｔ ｏｆ ｔｈｅ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ．Ｗｉｔｈｉｎ ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ．ｔｈｅ ｔｒｅａｔｅｄ Ｓｉ ｐａｒｔｉｃｌｅｓ ａｒｅ ｍｅｌｔｅｄ ｔｏｇｅｔｈｅｒ ｗｉｔｈ Ｓｎ ａｎｄ ｔｈｅｎ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅ ａｎｄ ｓｅｐａｒａｔｅ．Ｔｈｅ Ｓｉ ｃｒｙｓｔａｌ ｉｓ ａｃｉｄ．１ｅａｃｈｅｄ ｔｏ ｒｅｍｏｖｅ ｔｈｅ ａｔｔａｃｈｅｄ Ｓｎ．Ｔｈｅ ｒｅｃｏｖｅｒｙ ｏｆ ｔｈｅ ｗａｓｔｅ Ｓｎ ｉｓ ａｌｓｏ ｉｎｃｌｕｄｅｄ．Ｉｎ ｔｈｉｓ ｓｔｅｐ，ｔｈｅ ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｆ Ｂ ａｎｄ Ｐ ｉｓ ｒｅｄｕｃｅｄ ｔｏ ｍｅｅｔ ｔｈｅ ｄｅｍａｎｄ．Ｗｉｔｌ１ｉｎ ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ，ｔｈｅ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ Ｓｉ ｉｓ ｐｕｒｉｆｉｅｄ ｂｙ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄ．确ｅ ｒｅｍａｉｎｉｎｇ ｍｅｔａｌｌｉｃ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ａｒｅ ｇａｔｈｅｒｅｄ ａｎｄ ｒｅｍｏｖｅｄ，ａｎｄ ｔｈｅ ｐｕｒｉｙｔ ｏｆ Ｓｉ ｓ￣ｉｓｆｉｅｓ ｔｈｅ ｄｅｍａｎｄ ｏｆ ＳＯＧ．Ｓｉ．Ｉｎ ｔｈｉｓ ｓｔｅｐ．ｔｈｅ ｔｏｐ ａｎｄ ｂｏＲｏｍ ｏｆ Ｓｉ ｉｎｇｏｔ ｃａｎ ｂｅ ｒｅｃｙｃｌｅｄ ｔｏ ａｃｉｄ—ｌｅａｃｈｉｎｇ ｏｆ ｓｅｃｏｎｄ ｓｔｅｐ ： 一０日ｏ ∞ ≥ ：； ； ∞△－ ０∞一力 ． ＺＨＡＯ Ｌｉ—ｘｉｎ，ｅｔ ａｌ／Ｔｒａｎｓ．Ｎｏｎｆｅｒｒｏｕｓ Ｍｅｔ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｎａ ２１（２０１１）１１８５—１１９２ １１９１ ［２］ ＭＯＲＩＴＡ Ｋ，ＭＩＫＩ Ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃｓ ｏｆ ｓｏｌｒａ－ｇｒａｄｅ－ｓｉｌｉｃｏｎ ＭＧ．Ｓｉ ｒｅｆｉｎｉｎｇ［Ｊ］．Ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２００３，ｌ１（１１）：１】ｌ１—１１１７． ［３】ＤＩＥＴＬ Ｊ．Ｈｙｄｒｏｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ—ｇｒａｄｅｓ ｓｉｌｉｃｏｎ ．Ｓｏｌｒａ Ｃｅｌｌｓ，ｌ９８３，１Ｏ：１４５－１５４． ［４］ ＨＯＦＳＴＥＴＴＥＲ Ｊ，ＬＥＬＩＥＶＲＥ Ｊ Ｅ ｄｅｌ ｃＡＮＩｚＯ Ｃ，ＬＵＱＵＥ Ａ． Ａｃｃｅｐｔａｂｌｅ ｃｏｎｔｍａｉｎａｔｉｏｎ １ｅｖｅｌｓ ｉｎ ｓｏｌｒａ ｇｒａｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ：Ｆｒｏｍ ｆｅｅｄｓｔｏｃｋ ｔｏ ｓｏｌｒａ ｃｅｌｌ［Ｊ］ｌ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｂ， ２００９．１５９—１６０：２９９—３０４． ［５］ ｗｕ Ｊｉ－ｊｕｎ，ＭＡ Ｗｅｎ—ｈｕｉ，ＹＡＮＧ Ｂｉｎ，ＤＡＩ Ｙｏｎｇ－ｎｉａｎ，ＭＯＲＩＴＡ Ｋ． Ｂｏｒｏｎ ｒｅｍｏｖａｌ ｆｒｏｍ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｒｇａｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｂｙ ｏｘｉｄｉｚｉｎｇ ｒｅｆｉｎｉｎｇ ［Ｊ］．Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆＮｏｎｆｅｒｒｏｕｓ Ｍｅｔａｌｓ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆＣｈｉｎａ，２００９，ｌ９（２）： ４６３－４６７． ［６］ ＫＨＡＴ Ｋ Ｃ Ｐ，ＪＯＹＣＥ Ｄ Ｂ，ＳＣＨＭＩＤ Ｆ．Ａ ｓｉｍｐｌｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｔｏ ｒｅｍｏｖｅ ｂｏｒｏｎ ｆｒｏｍ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｇｒａｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ［ＪＪ．Ｓｏｌｒａ Ｅｎｅｒｇｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ，２００２，７４（１）：７７—８９． ［７］ ＴＡＮＡＨＡＳＨＩ Ｍ，ＮＡＫＡＨＩＧＡＳＨＩ Ｈ，１＝ｆ岫ＤＡ Ｋ，Ｙ ＭＡＵＣＨＩ Ｃ． Ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ ｂｏｒｏｎ ｆｒｏｍ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ—ｇｒａｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｂｙ ａｐｐｌｙｉｎｇ Ｃａ０一ｂａｓｅｄ ｆｌｕｘ ｔｒｅａｔｍｅｎｔ『Ｅｌ／／ＫＯＮＧＯＬＩ Ｅ，ＩＴＡＧＡＪ（Ｉ Ｋ． ＹＡＭＡＵＣＨＩ Ｃ．ＳＯＨＮ Ｈ Ｙ Ｙａｚａｗａ Ｉｎｔｅｍａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ：Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ． ＳｏＧ．Ｓｉ Ｓａｎ Ｄｉｅｇｏ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ：ＴＭＳ，２００３：６１３－６２４．叫 ｎ Ｆｉｇ．６ Ｆｌｏｗ ｓｈｅｅｔ ｏｆ ｌｏｗ—ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ［８］ ＫＩＣＨＩＹＡ Ｓ，ＴＯＭＯＮＯＲＩ Ｋ，ＮＯＢＵＯ Ｓ．Ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ ｂｏｒｏｎ ｆｒｏｍ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ—ｇｒａｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｂｙ ａｐｐｌｙｉｎｇ ｔｈｅ ｐｌａｓｍａ ｒｔｅａｔｍｅｎｔ［Ｊ］ｌ ＩＳＩＪ ｄｕｅ ｔｏ ｉｔｓ ｌｏｗｅｒ ｃｏｎｔｅｎｔ ｏｆＢ ａｎｄ Ｐ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，１９９２，３２：６３０—６３４． ［９］ ＢＥＮＭＡＮＳＯＵＲ Ｍ，ＲＯＵＳＳＥＡＵ Ｓ，ＭＯＲＶＡＮ Ｄ．Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ＤＣ ｂｉａｓ ｉｎ ａ ｍｏｌｔｅｎ ｓｉｌｉｃｏｎ ｂａｔｈ ｏｎ ｉｔｓ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ａｎｄ ６ Ｃｏｎｃｌｕｓｉｏｎｓ ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｉｏｎ ｂｙ ＲＦ ｔｈｅｒｍａｌ ｐｌａｓｍａ［Ｊ】ｌ Ｓｕｒｆａｃｅ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｎｇｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００８，２０３（７）：８３９—８４３． １）Ｌｏｗ ｅｎｅｒｇｙ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ ｉｓ ｓｔｉｌｌ ｔｈｅ ｃｈａｌｌｅｎｇｅ ｆｏｒ ｄｅ ＷＯＬＦ Ｓ，ＳＺＬＵＦＣＩＫ Ｊ，ＤＥＬＡＮＮＯＹ Ｙ＇ＰＥＩｕＣＨＡＵＤ １． ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ａｓ ｔｈｅ ｓｐｅｃｉａｌ ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ＨＡＢＬＥＲ Ｃ，Ｅ１ＮＨＡＵＳ Ｒ．Ｓｏｌｒａ ｃｅｌｌｓ ｆｒｏｍ ｕｐｇｒａｄｅｄ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ＳＯＧ—Ｓｉ．Ｌｏｎｇ．ｔｉｍｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ Ｂ ａｎｄ Ｐ ｒｇａｄｅ（ＵＭＧ）ａｎｄ ｐｌａｓｍａ－ｐｕｒｉｉｆｅｄ ＵＭＧ ｍｕｌｔｉ—ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［Ｊ］．Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｙｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｓｏｌｒａ Ｃｅｌｌｓ，２００２，７２（１）： ｕｎｄｅｒ ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｉｓ ｔｈｅ ｍａｉｎ ｒｅａｓｏｎ． ４９－５８． Ｍｅｔａｌ—ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｉｓ ｔｈｅ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ｍｅｔｈｏｄ ＹＵＧＥ Ｎ，ＡＢＥ Ｍ，ＨＡＮＡＺＡＷＡ Ｋ，ＢＡＢＡ Ｈ，ＮＡＫＡＭＵＲＡ Ｎ， ｗｈｉｃｈ ｃａｎ ｒａｐｉｄｌｙ ｒｅｍｏｖｅ ｔｈｅｍ ｕｎｄｅｒ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ． ＫＡＩ＇０ ＳＡＫＡＧＵＣＨＩ ＨＩⅥ ＳＡ Ｓ．ＡＲ ＡＴＡＮＩ Ｆ．Ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ２、Ｗｉｔｈ Ｓｎ ａｓ ｔｈｅ ｍｅｄｉｕｍ ｏｆ ｍｅｔａ１．１ｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔａｌｌｒｕｇｉｃａｌ—ｇｒａｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｕｐ ｔｏ ｓｏｌｒａ ｒｇａｄｅ［Ｊ］．Ｐｒｏｇ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔ：Ｒｅｓ ｍｅｔｈｏｄ，ｔｈｅ ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ ｃｏｅｆｉｆｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｂ ｉｓ Ａｐｐｌ，２００１，９（３）：２０３—２０９． ＹＵＧＥ Ｎ，ＨＡＮＡＺＡＷＡ Ｋ．ＮＩＳＨＩＫＡＷＡ Ｋ，ＴＥＲＡＳＨＩＭＡ Ｈ． ｌｅｓｓ ｔｈａｎ ０．０３８．ｗｈｉｃｈ ｉｓ ｆａｒ ｌｏｗｅｒ ｔｈａｎ ｔｈｅ ｉｎｉｔｉａｌ ｖａｌｕｅ Ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ，ａｌｕｍｉｎｕｍ ａｎｄ ｃａｌｃｉｕｍ ｂｙ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ ｉｎ ｏｆ ０．８．Ａｓ Ｓｉ ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｓ ｆｒｏｍ Ｓｎ．Ｓｉ ｓｙｓｔｅｍ ａｔ ａ ｍｏｌｔｅｎ ｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆｔｈｅ Ｊａｐａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆＭｅｔａｌｓ，１９９７， ｃｏｏｌｉｎｇ ｒａｔｅ ｏｆ ３．５。Ｃ／ｍｉｎ，ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｉｅｓ ｏｆ Ｂ， ６１（１０）：１０８６—１０９３． Ｐ ａｎｄ ｏｔｈｅｒ ｍｅｔａｌｓ ｒｅａｃｈ ｍｏｒｅ ｔｈａｎ ８５％．６０％ａｎｄ ９９ ９％． ．ＷＥＩ Ｋｕｉ—ｘｉａｎ，ＭＡ Ｗｅｎ—ｈｕｉ，ＤＡＩ Ｙｏｎｇ－ｎｉａｎ，ＹＡＮＧ Ｂｉｎ，ＬＩＵ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．Ｄｕｒｉｎｇ ｍｅｔａｌ－ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ，ｔｈｅ Ｄａ－ｃｈｕｎ．ＷＡＮＧ Ｊｉｎｇ—Ｆｕ．Ｖ ｃｕｕｍ ｄｉｓｔｉｌｌａｔｉｏｎ ｒｅｆｉｎｉｎｇ ｏｆ ｆｏｒｍａｔｉｏｎ ｏｆ ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ｂｅｔｗｅｅｎ ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｅｌｅｍｅｎｔｓ ａｎｄ ｍｅｔａｌｌｒｕｇｉｃａｌ ｇｒａｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ（Ｉ）：Ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃｓ ｏｎ ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ Ｓｉ ｉｓ ａｌｓｏ ａｎ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ｒｏｕｔｅ ｆｏｒ ｉｍｐｕｒｉｔｙ ｒｅｍｏｖａ１．Ｔｈｅ ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ ｆｒｏｍ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｇｒａｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ】．Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｎｏｎｆｅｒｒｏｕｓ Ｍｅｔａｌｓ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆＣｈｉｎａ，２００７．１７（ｓ１）：ｓｌ０２２－ｓ１０２５． ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ Ｓｉ ｉｓ １ａｒｇｅ ｐｌａｔｅ ｌｉｋｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｗｉｔｈ ｌｅｓｓ Ｓｎ ＭＡ Ｗｅｎ－ｈｕｉ，ＷＥＩ Ｋｕｉ．ｘｉａｎ，ＹＡＮＧ Ｂｉｎ，ＹＡＮＧ Ｂｉｎ。ＵＵ Ｄａ．ｃｈｕｎ． ａｔｔａｃｈｅｄ，ｗｈｉｃｈ ｍａｋｅｓ ｉｔ ｅａｓｙ ｔｏ ｓｅｐａｒａｔｅ Ｓｉ ｆｒｏｍ Ｓｎ ＤＡＩ Ｙｏｎｇ—ｎｉａｎ．ＷＡＮＧ Ｊｉｎｇ—ｆｕ．Ｖａｃｕｕｍ ｄｉｓｔｉｌｌａｔｉｏｎ ｒｅｆｉｎｉｎｇ ｏｆ ｌｉｑｕｉｄ． ｍｅｔａｌｌｕ ｃａ】ｇｒａｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ（ＩＩ）：Ｋｉｎｅｔｉｃｓ ｏｎ ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ ｐｈｏｓｐｈｏｍｓ ３、Ｔｗｏ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ｐｒｏｂｌｅｍｓ ｒｅｌａｔｉｖｅ ｔｏ ｍｅｔａ１． ｆｒｏｍ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｇｒａｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ Ｎｏｎｆｅｒｒｏｕｓ １ｉｑｕａｔｉｎｇ ｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ，ｔｈｅ ｓｏｌｉｄ．ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ ｍｅｄｉｕｍ ａｎｄ Ｍｅｔａｌｓ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆＣｈｉｎａ，２００７，１７（ｓ１）：ｓ１０２６一ｓ１０２９． ＣＨＥＮ Ｃｈａｏ，ＰＡＮＧ Ａｉ—ＳＵＯ．Ｒｅｍｏｖａ１ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｂｏｒｏｎ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｒｅｃｏｖｅｒｙ ｏｆ ｗａｓｔｅ ｍｅｔａｌ，ｗｅｒｅ ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ．Ａ ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ．Ｃｈｉｎａ：１０１０５４１７８Ａ［Ｐ］．２００７．（ｉｎ Ｃｈｉｎｅｓｅ） ｌｏｗ—ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｐｒｏｃｅｓｓ ｂａｓｅｄ ｏｎ ＹＯＳＨＩＫＡＷＡ ｔ ＭＯＲＩＴＡ Ｋ．Ｒｅｆｉｎｉｎｇ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ ｄｕｒｉｎｇ ｉｔｓ ｍｅｔａｌ—ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ｗａｓ ｐｒｏｐｏｓｅｄ．Ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｓｏｌｉｄｉｉｆｃａｔｉｏｎ ｆｒｏｍ ａ Ａ１－Ｓｉ ｍｅｌｔ［Ｊ］＿Ｊ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，２００９，３ ｌＩ： ｃｏｎｔａｉｎｅｄ ｔｈｒｅｅ ｐａｒｔｓ：ｐｒｅｔｒｅａｔｍｅｎｔ，ｍｅｔａｌ－ｌｉｑｕａｔｉｎｇ ａｎｄ ７７６－７７９． Ｍｃ ＣＡＮＮ Ｍ Ｊ，ＷＥＢＥＲ Ｋ Ｊ．ＰＥＴＲＡＶ１Ｃ Ｍ．ＢＬＡＫＥＲＳ Ａ ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｓＯ１ｉｄｉｆｉｃａｔｉＯｎ． Ｂｏｒｏｎ ｄｏｐｉｎｇ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ ｌａｙｅｒｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙ ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ［Ｊ】＿ Ｊｏｕｒｎａ１ ｏｆＣｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ．２００２，２４１：４５－５０． Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ ＫｎｌＡ Ｋ，Ｙ ＭＡＴＳＵＧＵ Ｈ，ＷＥＮ Ｃ Ｊ，Ｋ０ＭＩＹ Ｍ Ｈ。 讧ＡＤＡ Ｋ．Ｚｏｎｅ—ｄｅｆｉｎｅｄ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｆｉｌｍ ｆｒｏｍ ［１】 ＷＯＤＩＴＳＣＨ ＫＯＣＨ ｗ Ｓｏｌａｒ ｇｒａｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｆｅｅｄｓｔｏｃｋ ｓｕｐｐｌｙ ｆｏｒ ｍｅｔａｌ—ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｏｌｕｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｓｏｌｒａ Ｅｎｅｒｙｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ， ＰＶ ｉｎｄｕｓｌｒｙ［Ｊ］．Ｓｏｌｒａ Ｅｎｅｒｇｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｓｏｌｒａ Ｃｅｌｌｓ，２００２，７２（１）： ２００１，６５（４）：４６５—４７Ｏ． ｌ１—２６． ＰＥＴＥＲ Ｋ，ＫＯＰＥＣＥＫ Ｒ，Ｆ Ａ＝Ｔ１｛Ｐ＇ＢＵＣＨＥＲ Ｅ．ＺＡＨＥＤＩ Ｃ．Ｔｈｉｎ １１９２ ＺＨＡ０ Ｌｉ．ｘｉｎ，ｅｔ ａ ａｎｓ．Ｎｏｎｆｅ１ＴＯＵＳ Ｍｅｔ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｎａ ２１ｆ２０ｌ１１ ｌ１８５－１１９２ ＥＲＩＫＳＳＯＮ Ｇ ＨＡＣＫ ＪＵＮＧ Ｉ Ｈ，ＫＡＮＧ Ｙ Ｂ，ＭＥＬＡＮ（￣ＯＮ Ｊ， ＰＥＬＴＯＮ Ａ Ｄ，ＲＯＢＥＬＩＮ Ｃ，ＰＥＴＥＲＳＥＮ Ｓ．ＦａｃｔＳａｇｅ ｔｈｅｒｍｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｓｏｆｔｗａｒｅ ａｎｄ ｄａｔａｂａｓｅｓ－Ｒｅｃｅｎｔ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓ［Ｊ］． Ｃａｌｐｈａｄ，２００９，３３（２）：２９５＿３ ｌ１． ｉｆｌｍ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌｓ ｏｎ ｕｐｇｒａｄｅｄ ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ［Ｊ】．Ｓｏｌｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｍａｔａｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌｓ，２００２，７４（２）：２１９—２２３．［２０］ ＹＡＳＵＪＩ ＹＵＴＡＫＡ Ｓ．Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ ｐｈｙｓｉｃｏ—ｃｈｅｍｉｃａｌ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｔ ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ［Ｍ】．Ｔｏｋｙｏ：Ｔｈｅ Ｉｒｏｎ ａｎｄ Ｓｔｅｅｌ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｊａｐａｎ，１９８８：２－３．［２３】 ＭＯＮＤＯＬＦＯ Ｌ Ｅ Ａｌｕｍｉｎｕｍ ａｌｌｏｙｓ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ［Ｍ】． Ｌｏｎｄｏｎ：Ｂｕｔｔｅｒｗｏｒｔｈ，１９７６：３１３—３１５． 『２ｌ１ ＪＡＣＯＢＳ Ｍ Ｈ Ｇ ＳＰＥＮＣＥＲ Ｐ Ｊ．Ａ ｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃ ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ ｏｆｔｈｅ ［２４】 ＺＨＡＯ Ｌ Ｘ，ＧＵＯ Ｚ Ｃ，ＷＡＮＧ Ｚ，ＷＡＮＧ Ｍ Ｙ．Ｒｅｍｏｖａｌ ｏｆ ｓｙｓｔｅｍ Ｓｉ－Ｓｎ【Ｊ］．Ｃａｌｐｈａｄ，１９９６，２Ｏ（１）：８９—９１．『２２］ ＢＡＬＥ Ｃ Ｗ ＢＥＬＬＳＬＥ Ｅ，ＣＨＡＲＴＲＡＮＤ Ｐ＇ＤＥＣＴＥＲＯＶ Ｓ Ａ，１ｏｗ—ｃｏｎｔｅｎｔ ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ ｆｒｏｍ Ａ１ ｂｙ ｓｕｐｅｒ－ｇｒａｖｉｔｙ［Ｊ］．Ｍｅｔａｌ Ｍａｔｅｒ Ｔｒｎｓ ａＢ，２０１０，４１（３）：５０５—５０８． 低温净化冶金硅工艺 赵立新 一，王志 ，郭占成 一，李成义 １．中国科学院过程工程研究所湿法冶金清洁生产技术国家工程实验室，北京１００１９０； ２．中国科学院研究生院，北京１０００４９； ３．北京科技大学高效钢铁冶金国家重点实验室，北京１０００８３： ４．中国矿业大学化学与环境工程学院，北京１０００８３ 摘要：硼、磷杂质的去除在冶金净化法生产太阳能级多晶硅工艺中耗能最大。金属熔析净化法可以实现冶金硅 在金属液中低温下熔化，而后再结晶净化，是一种可行的低能耗硼磷去除方法。对熔析体系的选择原则进行总结， 筛选出铝、锡和铟金属作为合适的熔析介质。对于Ｓｎ．Ｓｉ体系，１ ５００ Ｋ时硼的分凝系数为０．０３８，远小于纯硅熔 点的对应值０．８。冶金硅二次熔析净化处理可使硼的质量分数由１５ｘ１０ 降至Ｏ．１×１０一，而多数金属杂质可一次性 去除至０．１×１０ 以下。在熔析过程中，杂质和硅生成化合物是主要的杂质去除方式。提出一种以金属熔析法为基 础的低温冶金硅净化工艺。 关键词：金属熔析法；冶金净化法；锡硅体系；太阳能级多晶硅 （Ｅｄｉｔｅｄ ｂｙ ＦＡＮＧ Ｊｉｎｇ－ｈｕａ）
