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专利名称：一种硅控整流器及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：朱天志,黄冠群,陈昊瑜,邵华申请号：CN202010350852.9申请日：20200428公开号：CN111370409A公开日：20200703
摘要：本发明提供了一种硅控整流器及其制造方法，硅控整流器包括：P型衬底80；P型衬底80中的N型阱60和P型阱70；N型阱60的上部具有构成阳极的P型重掺杂区20和N型轻掺杂区28，N型轻掺杂区28靠近N型阱60和P型阱70之间的交界面，N型轻掺杂区28与交界面之间为N型阱60的有源区；以及P型阱70的上部具有构成阴极的P型重掺杂区26和N型重掺杂区24，N型重掺杂区24靠近交界面，N型重掺杂区24与交界面之间具有与N型重掺杂区24邻接的浅沟槽隔离，浅沟槽隔离与交界面之间为P型阱70的有源区。根据本发明所提供的制造方法所制造的硅控整流器能够提高无回滞效应硅控整流器的触发电压，有利于减少多级串联应用所需的串联级数，能够节省版图面积。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：徐伟
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